STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 100 A 1200 V Udtømning, 7 Ben, H2PAK, SCT Nej

Se alle MOSFET

Indhold (1 rør af 30 enheder)*

Kr. 5.945,55

(ekskl. moms)

Kr. 7.431,93

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 06. november 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rør*
30 +Kr. 198,185Kr. 5.945,55

*Vejledende pris

RS-varenummer:
202-5485
Producentens varenummer:
SCTW100N65G2AG
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

100A

Drain source spænding maks. Vds

1200V

Serie

SCT

Emballagetype

H2PAK

Monteringstype

Overflade

Benantal

7

Drain source modstand maks. Rds

0.105Ω

Kanalform

Udtømning

Effektafsættelse maks. Pd

420W

Portkildespænding maks.

22 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

162nC

Gennemgangsspænding Vf

2.8V

Driftstemperatur maks.

200°C

Højde

34.95mm

Bredde

5.15 mm

Længde

15.75mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

STMicroelectronics siliciumkarbid-power MOSFET i bilkvalitet er udviklet med ST's Advanced og innovative 2. Generation af SiC MOSFET-teknologi. Enheden har en bemærkelsesværdig lav modstand på enheden pr. enhedsområde og en meget god skifteevne.

Meget hurtig og robust intrinsic body diode

Lav kapacitet

Relaterede links