STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 33 A 1200 V Udtømning, 3 Ben, Hip-247, SCT Nej SCTW40N120G2VAG

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 131,87

(ekskl. moms)

Kr. 164,84

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 04. september 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 - 4Kr. 131,87
5 - 9Kr. 129,18
10 +Kr. 121,03

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
202-5490
Producentens varenummer:
SCTW40N120G2VAG
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

33A

Drain source spænding maks. Vds

1200V

Serie

SCT

Emballagetype

Hip-247

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

0.105Ω

Kanalform

Udtømning

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

63nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

3.4V

Effektafsættelse maks. Pd

290W

Portkildespænding maks.

22 V

Driftstemperatur maks.

200°C

Standarder/godkendelser

No

Højde

34.95mm

Længde

15.75mm

Bredde

5.15 mm

Bilindustristandarder

Nej

STMicroelectronics siliciumkarbid-power MOSFET i bilkvalitet er udviklet med ST's Advanced og innovative 2. Generation af SiC MOSFET-teknologi. Enheden har en bemærkelsesværdig lav modstand på enheden pr. enhedsområde og en meget god skifteevne.

Meget hurtig og robust intrinsic body diode

Lav kapacitet

Relaterede links