onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 102 A 1200 V Forbedring, 4 Ben, TO-247, NVH Nej NVH4L020N120SC1

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 316,48

(ekskl. moms)

Kr. 395,60

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • 32 enhed(er) afsendes fra 15. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 - 9Kr. 316,48
10 - 99Kr. 272,80
100 +Kr. 236,52

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
202-5735
Producentens varenummer:
NVH4L020N120SC1
Brand:
onsemi
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

onsemi

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

102A

Drain source spænding maks. Vds

1200V

Serie

NVH

Emballagetype

TO-247

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

4

Drain source modstand maks. Rds

28mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

220nC

Effektafsættelse maks. Pd

510W

Portkildespænding maks.

25 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

AEC-Q101 and PPAP Capable

Højde

22.74mm

Bredde

5.2 mm

Længde

15.8mm

Bilindustristandarder

Nej

Siliciumkarbid (SiC) MOSFET, N-kanal - EliteSiC, 20 mohm, 1200 V, M1, TO247−4L siliciumkarbid MOSFET, N-kanal, 1200 V, 20 mΩ, TO247-4L


ON Semiconductor siliciumkarbid Power MOSFET kører med 102 ampere og 1200 volt. Den kan bruges i biler med indbygget oplader, DC- eller DC-konverter.

AEC Q101 kvalificeret

Produktionsvarens godkendelsesproces

100 % avalanche-testet

Lav effektiv udgangskapacitet

Relaterede links