onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 29 A 1200 V Forbedring, 4 Ben, TO-247, NVH AEC-Q101 NVH4L080N120SC1

Se alle MOSFET

Indhold (1 pakke af 2 enheder)*

Kr. 111,60

(ekskl. moms)

Kr. 139,50

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Sidste 410 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
2 +Kr. 55,80Kr. 111,60

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
202-5740
Producentens varenummer:
NVH4L080N120SC1
Brand:
onsemi
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

onsemi

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

29A

Drain source spænding maks. Vds

1200V

Emballagetype

TO-247

Serie

NVH

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

4

Drain source modstand maks. Rds

80mΩ

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

25 V

Effektafsættelse maks. Pd

170W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

56nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

175°C

Højde

22.74mm

Standarder/godkendelser

RoHS

Bredde

5.2 mm

Længde

15.8mm

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Siliciumkarbid (SiC) MOSFET, N-kanal - EliteSiC, 80 mohm, 1200 V, M1, TO247−4L siliciumkarbid MOSFET, N-kanal, 1200 V, 80 mΩ, TO247-4L


ON Semiconductor siliciumkarbid Power MOSFET kører med 29 ampere og 1200 volt. Den kan bruges i biler med indbygget oplader, DC- eller DC-konverter, hjælpemotor til brug i biler.

AEC Q101 kvalificeret

100 % avalanche-testet

Lav effektiv udgangskapacitet

I overensstemmelse med RoHS

Relaterede links