Vishay 2 Type N-Kanal Dobbelt, MOSFET, 19.1 A 100 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAIR 3 x 3S, SiZ270DT Nej

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 12.759,00

(ekskl. moms)

Kr. 15.948,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 08. juli 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
3000 +Kr. 4,253Kr. 12.759,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
204-7263
Producentens varenummer:
SIZ270DT-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

19.1A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Emballagetype

PowerPAIR 3 x 3S

Serie

SiZ270DT

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

0.0377Ω

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

13.3nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

33W

Portkildespænding maks.

20 V

Driftstemperatur maks.

150°C

Transistorkonfiguration

Dobbelt

Længde

3.3mm

Højde

0.75mm

Bredde

3.3 mm

Standarder/godkendelser

No

Antal elementer per chip

2

Bilindustristandarder

Nej

Vishay Dual N-kanal 100 V (D-S) MOSFET'er er et integreret MOSFET halvbro-effekttrin og har et optimeret Qgs/Qgs-forhold, der forbedrer skiftekarakteristika.

100 % Rg og UIS-testet

TrenchFET Gen IV Power MOSFET

Relaterede links