STMicroelectronics N-Kanal, MOSFET, 5.5 A 25 V Forbedring, 3 Ben, SOT-223, STN6N60M2
- RS-varenummer:
- 204-9959
- Producentens varenummer:
- STN6N60M2
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 25 enheder)*
Kr. 112,20
(ekskl. moms)
Kr. 140,25
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 2.225 enhed(er) afsendes fra 21. september 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 25 - 225 | Kr. 4,488 | Kr. 112,20 |
| 250 - 600 | Kr. 4,09 | Kr. 102,25 |
| 625 + | Kr. 3,408 | Kr. 85,20 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 204-9959
- Producentens varenummer:
- STN6N60M2
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 5.5A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 25V | |
| Serie | STN6N60M2 | |
| Emballagetype | SOT-223 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.25Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 6nC | |
| Portkildespænding maks. | 25V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 6W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.6V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 6.8mm | |
| Højde | 1.8mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 6.48mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 5.5A | ||
Drain source spænding maks. Vds 25V | ||
Serie STN6N60M2 | ||
Emballagetype SOT-223 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.25Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 6nC | ||
Portkildespænding maks. 25V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 6W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.6V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 6.8mm | ||
Højde 1.8mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 6.48mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
STMicroelectronics-enheden er en N-kanal Power MOSFET, der er udviklet med MDmesh M2-teknologi. Takket være strip-layoutet og en forbedret lodret struktur har enheden lav modstand og optimerede skiftekarakteristika, hvilket gør den velegnet til de mest krævende konvertere med høj effektivitet.
Ekstremt lav portopladning
Fremragende udgangskapacitet (USS) profil
100 % avalanche-testet
Zener-beskyttet