STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 5.5 A 25 V Forbedring, 3 Ben, SOT-223, STN6N60M2
- RS-varenummer:
- 204-9959
- Producentens varenummer:
- STN6N60M2
- Brand:
- STMicroelectronics
Indhold (1 pakke af 25 enheder)*
Kr. 90,125
(ekskl. moms)
Kr. 112,65
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 2.900 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 25 + | Kr. 3,605 | Kr. 90,13 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 204-9959
- Producentens varenummer:
- STN6N60M2
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 5.5A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 25V | |
| Emballagetype | SOT-223 | |
| Serie | STN6N60M2 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.25Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 6nC | |
| Portkildespænding maks. | 25 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 6W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.6V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 1.8mm | |
| Bredde | 6.48 mm | |
| Længde | 6.8mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 5.5A | ||
Drain source spænding maks. Vds 25V | ||
Emballagetype SOT-223 | ||
Serie STN6N60M2 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.25Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 6nC | ||
Portkildespænding maks. 25 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 6W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.6V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 1.8mm | ||
Bredde 6.48 mm | ||
Længde 6.8mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
STMicroelectronics-enheden er en N-kanal Power MOSFET, der er udviklet med MDmesh M2-teknologi. Takket være strip-layoutet og en forbedret lodret struktur har enheden lav modstand og optimerede skiftekarakteristika, hvilket gør den velegnet til de mest krævende konvertere med høj effektivitet.
Ekstremt lav portopladning
Fremragende udgangskapacitet (USS) profil
100 % avalanche-testet
Zener-beskyttet
Relaterede links
- STMicroelectronics Type N-Kanal 5.5 A 25 V Forbedring SOT-223, STN6N60M2 Nej
- STMicroelectronics Type N-Kanal 400 mA 600 V Forbedring SOT-223 Nej
- STMicroelectronics Type N-Kanal 250 mA 800 V Forbedring SOT-223 Nej
- STMicroelectronics Type N-Kanal 600 mA 450 V Forbedring SOT-223 Nej
- Nej STMicroelectronics MOSFET 0.01 mA SOT-223
- Nexperia Type N-Kanal 5.5 A 55 V Forbedring SOT-223, BUK98150 AEC-Q101
- STMicroelectronics Type N-Kanal 400 mA 600 V Forbedring SOT-223 Nej STN1HNK60
- STMicroelectronics Type N-Kanal 250 mA 800 V Forbedring SOT-223 Nej STN1NK80Z
