STMicroelectronics N-Kanal, MOSFET, 5.5 A 25 V Forbedring, 3 Ben, SOT-223, STN6N60M2
- RS-varenummer:
- 204-9959
- Producentens varenummer:
- STN6N60M2
- Brand:
- STMicroelectronics
Få rabat ved storkøb
Tilføj 250 flere for at gemme Kr. 99,50
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 25 enheder)*
Kr. 112,20
(ekskl. moms)
Kr. 140,25
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 1.700 enhed(er) afsendes fra 06. november 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* | Besparelse |
|---|---|---|---|
| 25 - 225 | Kr. 4,488 | Kr. 112,20 | - |
| 250 - 600 | Kr. 4,09 | Kr. 102,25 | Kr. 99,50 |
| 625 + | Kr. 3,408 | Kr. 85,20 | Kr. 675,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 204-9959
- Producentens varenummer:
- STN6N60M2
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 5.5A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 25V | |
| Emballagetype | SOT-223 | |
| Serie | STN6N60M2 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.25Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 6W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 6nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.6V | |
| Portkildespænding maks. | 25V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 1.8mm | |
| Længde | 6.8mm | |
| Bredde | 6.48mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 5.5A | ||
Drain source spænding maks. Vds 25V | ||
Emballagetype SOT-223 | ||
Serie STN6N60M2 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.25Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 6W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 6nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.6V | ||
Portkildespænding maks. 25V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 1.8mm | ||
Længde 6.8mm | ||
Bredde 6.48mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
STMicroelectronics-enheden er en N-kanal Power MOSFET, der er udviklet med MDmesh M2-teknologi. Takket være strip-layoutet og en forbedret lodret struktur har enheden lav modstand og optimerede skiftekarakteristika, hvilket gør den velegnet til de mest krævende konvertere med høj effektivitet.
Ekstremt lav portopladning
Fremragende udgangskapacitet (USS) profil
100 % avalanche-testet
Zener-beskyttet
Relaterede links
- STMicroelectronics N-Kanal 5.5 A 25 V Forbedring SOT-223, STN6N60M2
- STMicroelectronics N-Kanal 4 A 60 V Forbedring SOT-223, STN3N
- STMicroelectronics N-Kanal 300 mA 600 V Forbedring SOT-223, SuperMESH
- STMicroelectronics N-Kanal 4 A 60 V Forbedring SOT-223, STripFET
- STMicroelectronics N-Kanal 1.8 A 400 V Forbedring SOT-223, SuperMESH3
- STMicroelectronics N-Kanal 1 A 200 V Forbedring SOT-223, STN
- STMicroelectronics N-Kanal 2.4 A 100 V Forbedring SOT-223, STripFET
- STMicroelectronics N-Kanal 6.5 A 30 V Forbedring SOT-223, STripFET