onsemi Type N-Kanal, MOSFET og Diode, 13 A 800 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, SUPERFET III Nej NTP360N80S3Z

Se alle MOSFET

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 110,58

(ekskl. moms)

Kr. 138,225

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Sidste 720 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 +Kr. 22,116Kr. 110,58

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
205-2504
Producentens varenummer:
NTP360N80S3Z
Brand:
onsemi
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

onsemi

Produkttype

MOSFET og Diode

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

13A

Drain source spænding maks. Vds

800V

Emballagetype

TO-220

Serie

SUPERFET III

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

360mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

25.3nC

Effektafsættelse maks. Pd

96W

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Portkildespænding maks.

20 V

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Længde

30.7mm

Højde

4.7mm

Bredde

9.65 mm

Bilindustristandarder

Nej

ON Semiconductor SUPERFET III serien N-kanal 800 V MOSFET er optimeret til primær kontakt af flueback konverter, muliggør lavere skiftetab og sagstemperatur uden at gå på kompromis med EMI-ydelse takket være det optimerede design. Desuden forbedrer den interne zener-diode ESD betydeligt. Denne nye serie muliggør mere effektive, kompakte, køligere og mere robuste anvendelser på grund af dens bemærkelsesværdige ydeevne inden for switching-strømanvendelser som f.eks. adapter til bærbar computer, lyd, belysning, ATX-strøm og industrielle strømforsyninger.

Konstant strømstyrke for dræn er 13 A.

Dræn til kilde på modstand er 360 Mohm

Ultralav gate-opladning

Lav lagret energi i udgangskapacitet

100 % avalanche-testet

Pakketypen ER TO-220

Relaterede links