DiodesZetex 1 N-Kanal Dobbelt, MOSFET, 30.2 A 40 V Forbedring, 8 Ben, PowerDI3333, DMT47 AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 206-0143
- Producentens varenummer:
- DMT47M2LDV-7
- Brand:
- DiodesZetex
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 25 enheder)*
Kr. 145,15
(ekskl. moms)
Kr. 181,45
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 17. juni 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | Kr. 5,806 | Kr. 145,15 |
| 50 - 75 | Kr. 5,691 | Kr. 142,28 |
| 100 - 225 | Kr. 4,961 | Kr. 124,03 |
| 250 - 975 | Kr. 4,826 | Kr. 120,65 |
| 1000 + | Kr. 4,712 | Kr. 117,80 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 206-0143
- Producentens varenummer:
- DMT47M2LDV-7
- Brand:
- DiodesZetex
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 30.2A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | PowerDI3333 | |
| Serie | DMT47 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.015Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 6.72nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 14.8W | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.9V | |
| Transistorkonfiguration | Dobbelt | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS, UL 94V-0, J-STD-020, MIL-STD-202, AEC-Q101 | |
| Bredde | 3.4mm | |
| Højde | 0.85mm | |
| Længde | 3.4mm | |
| Antal elementer per chip | 1 | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 30.2A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype PowerDI3333 | ||
Serie DMT47 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.015Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 6.72nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 14.8W | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.9V | ||
Transistorkonfiguration Dobbelt | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS, UL 94V-0, J-STD-020, MIL-STD-202, AEC-Q101 | ||
Bredde 3.4mm | ||
Højde 0.85mm | ||
Længde 3.4mm | ||
Antal elementer per chip 1 | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
DiodesZetex 40V, 8-benet dobbelt N-kanal forbedringstilstand MOSFET er designet til at minimere modstand i tændt tilstand, men alligevel opretholde en overlegen skifteydelse, hvilket gør den ideel til højeffektiv strømstyring. Dens gate-source-spænding er 20 V med 2,34 W termisk effekttab.
Høj konverteringseffektivitet
Lav RDS(ON) – minimerer tab af tilstand
Hurtig koblingshastighed