Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 86 A 80 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, SiR826LDP
- RS-varenummer:
- 210-5004
- Producentens varenummer:
- SiR826LDP-T1-RE3
- Brand:
- Vishay
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
- RS-varenummer:
- 210-5004
- Producentens varenummer:
- SiR826LDP-T1-RE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 86A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 80V | |
| Emballagetype | SO-8 | |
| Serie | SiR826LDP | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 4.15mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 90nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 83W | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 1.12mm | |
| Bredde | 5.26 mm | |
| Længde | 6.25mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 86A | ||
Drain source spænding maks. Vds 80V | ||
Emballagetype SO-8 | ||
Serie SiR826LDP | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 4.15mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 90nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 83W | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 1.12mm | ||
Bredde 5.26 mm | ||
Længde 6.25mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay N-kanal 80 V (D-S) MOSFET har PowerPAK SO-8 hustype med 86 A drænstrøm.
TrenchFET Gen IV Power MOSFET
Meget lav RDS - Qg figure-of-merit (FOM)
Tunet til den laveste RDS - Qoss FOM
100 % Rg og UIS-testet
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 86 A 80 V Forbedring SO-8, SiR826LDP
- Vishay Type N-Kanal 66.8 A 80 V Forbedring SO-8, SiR
- Vishay Type P-Kanal 46 A 80 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay Type P-Kanal 71.9 A 80 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay Type N-Kanal 100 A 80 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay Type N-Kanal 130 A 80 V Forbedring SO-8, SiR680LDP
- Vishay Type N-Kanal 70.6 A 80 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay Type N-Kanal 146 A 80 V Forbedring SO-8, TrenchFET