STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 10 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-252 AEC-Q101 STD12N60DM6

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 68,67

(ekskl. moms)

Kr. 85,84

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 30. april 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 - 45Kr. 13,734Kr. 68,67
50 - 95Kr. 11,728Kr. 58,64
100 - 245Kr. 9,216Kr. 46,08
250 - 995Kr. 8,99Kr. 44,95
1000 +Kr. 6,642Kr. 33,21

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
210-8740
Producentens varenummer:
STD12N60DM6
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

10A

Drain source spænding maks. Vds

600V

Emballagetype

TO-252

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

390mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

90W

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

25 V

Gennemgangsspænding Vf

1.6V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

17nC

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

6.6mm

Bredde

6.2 mm

Standarder/godkendelser

No

Højde

2.4mm

Bilindustristandarder

AEC-Q101

STMicroelectronics N-kanal Power MOSFET med høj spænding er en del af Mesh DM6-serien med hurtig genoprettelse. Sammenlignet med den tidligere Mesh fast generation, kombinerer DM6 meget lav gendannelsesladning (Qrr), restitutionstid (trr) og fremragende forbedring af RDS(on) pr. område med en af de mest effektive skifteegenskaber på markedet for de mest krævende højeffektive brotopologier og ZVS-faseskiftkonvertere.

Diode til hurtigt genvindingshus

Sænk RDS(on) pr. område i forhold til forrige generation

Lav gate-opladning, indgangskapacitet og modstand

100 % avalanche-testet

Ekstremt høj dv/dt robusthed

Zener-beskyttet

Relaterede links