Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 87 A 150 V N, 8 Ben, SuperSO, OptiMOS 5
- RS-varenummer:
- 214-4325
- Producentens varenummer:
- BSC093N15NS5ATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 145,86
(ekskl. moms)
Kr. 182,325
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 60 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
- Plus 7.940 enhed(er) afsendes fra 29. juli 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | Kr. 29,172 | Kr. 145,86 |
| 25 - 45 | Kr. 26,24 | Kr. 131,20 |
| 50 - 120 | Kr. 24,504 | Kr. 122,52 |
| 125 - 245 | Kr. 22,77 | Kr. 113,85 |
| 250 + | Kr. 21,304 | Kr. 106,52 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 214-4325
- Producentens varenummer:
- BSC093N15NS5ATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 87A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 150V | |
| Emballagetype | SuperSO | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 9.3mΩ | |
| Kanalform | N | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 10nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 139W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 5.35mm | |
| Højde | 1.2mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 87A | ||
Drain source spænding maks. Vds 150V | ||
Emballagetype SuperSO | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 9.3mΩ | ||
Kanalform N | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 10nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 139W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 5.35mm | ||
Højde 1.2mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Denne Infineon OptiMOS MOSFET tilbyder det nyeste R DS (ON) af en rende MOSFET sammen med det brede sikre driftsområde af en klassisk planar MOSFET.
Den er ideel til anvendelser med hot-swap og e-sikring
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 87 A 150 V N SuperSO, OptiMOS 5
- Infineon Type N-Kanal 56 A 150 V N SuperSO, OptiMOS 5
- Infineon Type N-Kanal 64 A 60 V N SuperSO, OptiMOS
- Infineon Type N-Kanal 234 A 60 V N SuperSO, OptiMOS
- Infineon Type N-Kanal 24 A 250 V N SuperSO, OptiMOS 3
- Infineon Type N-Kanal 49 A 80 V N SuperSO, OptiMOS 5
- Infineon Type N-Kanal 195 A 40 V SuperSO, OptiMOS
- Infineon Type N-Kanal 95 A 80 V Forbedring SuperSO, OptiMOS