Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 2.2 A 500 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, 500V CoolMOS CE Nej IPD50R2K0CEAUMA1

Indhold (1 pakke af 50 enheder)*

Kr. 48,75

(ekskl. moms)

Kr. 60,95

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 2.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
50 +Kr. 0,975Kr. 48,75

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
214-4379
Producentens varenummer:
IPD50R2K0CEAUMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

2.2A

Drain source spænding maks. Vds

500V

Serie

500V CoolMOS CE

Emballagetype

TO-252

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

6nC

Gennemgangsspænding Vf

0.83V

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

33W

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

6.65mm

Bredde

6.42 mm

Højde

2.35mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

Denne Infineon 500 V Cool MOS CE MOSFET er en prisoptimeret platform, der gør det muligt at målrette omkostningsfølsomme anvendelser på forbruger- og belysningsmarkeder ved stadig at opfylde de højeste effektivitetsstandarder.

Det giver meget stor kommutationsrobusthed

Relaterede links