Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 2.2 A 500 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, 500V CoolMOS CE
- RS-varenummer:
- 214-4379
- Producentens varenummer:
- IPD50R2K0CEAUMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 50 enheder)*
Kr. 162,00
(ekskl. moms)
Kr. 202,50
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 2.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | Kr. 3,24 | Kr. 162,00 |
| 100 - 200 | Kr. 2,367 | Kr. 118,35 |
| 250 - 450 | Kr. 2,237 | Kr. 111,85 |
| 500 - 1200 | Kr. 2,073 | Kr. 103,65 |
| 1250 + | Kr. 1,913 | Kr. 95,65 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 214-4379
- Producentens varenummer:
- IPD50R2K0CEAUMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 2.2A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 500V | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Serie | 500V CoolMOS CE | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 2Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 33W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 6nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.83V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 2.35mm | |
| Længde | 6.65mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 2.2A | ||
Drain source spænding maks. Vds 500V | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Serie 500V CoolMOS CE | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 2Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 33W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 6nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.83V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 2.35mm | ||
Længde 6.65mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Denne Infineon 500 V Cool MOS CE MOSFET er en prisoptimeret platform, der gør det muligt at målrette omkostningsfølsomme anvendelser på forbruger- og belysningsmarkeder ved stadig at opfylde de højeste effektivitetsstandarder.
Det giver meget stor kommutationsrobusthed
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 2.2 A 500 V Forbedring TO-252, 500V CoolMOS CE
- Infineon Type N-Kanal 14.1 A 550 V Forbedring TO-252, CoolMOS CE
- Infineon Type N-Kanal 6.8 A 650 V Forbedring TO-252, CoolMOS CE
- Infineon Type N-Kanal 9 A 500 V Forbedring TO-252, CoolMOS CE
- Infineon Type N-Kanal 7.2 A 650 V Forbedring TO-252, CoolMOS CE
- Infineon Type N-Kanal 3.9 A 800 V Forbedring TO-252, CoolMOS CE
- Infineon Type N-Kanal 5.7 A 800 V Forbedring TO-252, CoolMOS CE
- Infineon Type N-Kanal 7.6 A 500 V N TO-252, 500V CoolMOS CE