Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 50 A 150 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS 3 Nej IPP200N15N3GXKSA1
- RS-varenummer:
- 214-4412
- Producentens varenummer:
- IPP200N15N3GXKSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 191,22
(ekskl. moms)
Kr. 239,02
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 150 enhed(er) afsendes fra 01. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | Kr. 19,122 | Kr. 191,22 |
| 50 - 90 | Kr. 18,169 | Kr. 181,69 |
| 100 - 240 | Kr. 17,406 | Kr. 174,06 |
| 250 - 490 | Kr. 16,643 | Kr. 166,43 |
| 500 + | Kr. 15,484 | Kr. 154,84 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 214-4412
- Producentens varenummer:
- IPP200N15N3GXKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 50A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 150V | |
| Serie | OptiMOS 3 | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 20mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 23nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 150W | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 10.2mm | |
| Højde | 4.4mm | |
| Bredde | 15.93 mm | |
| Distrelec Product Id | 304-31-967 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 50A | ||
Drain source spænding maks. Vds 150V | ||
Serie OptiMOS 3 | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 20mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 23nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 150W | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 10.2mm | ||
Højde 4.4mm | ||
Bredde 15.93 mm | ||
Distrelec Product Id 304-31-967 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Denne Infineon OptiMOS 3 MOSFET er ideel til højfrekvent omskiftning og synkron ensretning. Den er kvalificeret i henhold til JEDEC til anvendelse som mål
Den er halogenfri i henhold til IEC61249-2-21
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 50 A 150 V TO-220, OptiMOS™ 3 IPP200N15N3GXKSA1
- Infineon N-Kanal 83 A 150 V TO-220, OptiMOS™ 3 IPP111N15N3GXKSA1
- Infineon N-Kanal 100 A 150 V TO-220, OptiMOS™ IPP075N15N3GXKSA1
- Infineon N-Kanal 37 A 150 V TO-220 FP, OptiMOS™ 3 IPA105N15N3GXKSA1
- Infineon N-Kanal 120 A 150 V TO-220, OptiMOS™ 5 IPP051N15N5AKSA1
- Infineon N-Kanal 112 A 150 V TO-220, OptiMOS™ 5 IPP076N15N5AKSA1
- Infineon N-Kanal 58 A 100 V TO-220, OptiMOS™ 3 IPP126N10N3GXKSA1
- Infineon N-Kanal 100 A 80 V TO-220, OptiMOS™ 3 IPP037N08N3GXKSA1
