Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 50 A 150 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS 3
- RS-varenummer:
- 214-4412
- Elfa Distrelec varenummer:
- 304-31-967
- Producentens varenummer:
- IPP200N15N3GXKSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 121,18
(ekskl. moms)
Kr. 151,48
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 500 enhed(er) afsendes fra 30. juli 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | Kr. 12,118 | Kr. 121,18 |
| 50 - 90 | Kr. 11,796 | Kr. 117,96 |
| 100 - 240 | Kr. 11,482 | Kr. 114,82 |
| 250 - 490 | Kr. 11,183 | Kr. 111,83 |
| 500 + | Kr. 10,913 | Kr. 109,13 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 214-4412
- Elfa Distrelec varenummer:
- 304-31-967
- Producentens varenummer:
- IPP200N15N3GXKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 50A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 150V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Serie | OptiMOS 3 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 20mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 23nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 150W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 10.2mm | |
| Højde | 4.4mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 50A | ||
Drain source spænding maks. Vds 150V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Serie OptiMOS 3 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 20mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 23nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 150W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 10.2mm | ||
Højde 4.4mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Denne Infineon OptiMOS 3 MOSFET er ideel til højfrekvent omskiftning og synkron ensretning. Den er kvalificeret i henhold til JEDEC til anvendelse som mål
Den er halogenfri i henhold til IEC61249-2-21
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 50 A 150 V Forbedring TO-220, OptiMOS 3
- Infineon Type N-Kanal 37 A 150 V Forbedring TO-220, OptiMOS 3
- Infineon Type N-Kanal 83 A 150 V Forbedring TO-220, OptiMOS 3
- Infineon Type N-Kanal 120 A 150 V Forbedring TO-220, OptiMOS 5
- Infineon Type N-Kanal 112 A 150 V Forbedring TO-220, OptiMOS 5
- Infineon Type N-Kanal 80 A 100 V Forbedring TO-220, OptiMOS 3
- Infineon Type N-Kanal 64 A 250 V Forbedring TO-220, OptiMOS 3
- Infineon Type N-Kanal 88 A 200 V Forbedring TO-220, OptiMOS 3