Infineon N-Kanal, MOSFET, 25 A 100 V, 3 Ben, DirectFET, DirectFET
- RS-varenummer:
- 214-4454
- Producentens varenummer:
- IRF6645TRPBF
- Brand:
- Infineon
Indhold (4800 enheder, på en rulle med 4800)*
Kr. 20.179,20
(ekskl. moms)
Kr. 25.224,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 21. januar 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 4800 + | Kr. 4,204 | Kr. 20.179,20 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 214-4454
- Producentens varenummer:
- IRF6645TRPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 25A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | DirectFET | |
| Serie | DirectFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 35mΩ | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 42W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 20nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 25A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype DirectFET | ||
Serie DirectFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 35mΩ | ||
Effektafsættelse maks. Pd 42W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 20nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Denne Infineon stærke IRFET effekt MOSFET er optimeret til lav RDS(on) og høj strømkapacitet. Den er ideel til lavfrekvente anvendelser, der kræver ydeevne og robusthed.
Den er optimeret til synkron ensretning
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 25 A 100 V DirectFET, DirectFET
- Infineon N-Kanal 270 A 40 V DirectFET
- Infineon N-Kanal 124 A 100 V HEXFET
- Infineon N-Kanal 375 A 60 V Forbedring DirectFET HEXFET
- Infineon N-Kanal 375 A 40 V HEXFET
- Infineon N-Kanal -160 A -30 V HEXFET
- Infineon N-Kanal 217 A 40 V HEXFET
- Infineon N-Kanal 28 A 150 V DirectFET, HEXFET