Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 25 A 100 V, 3 Ben, DirectFET, DirectFET
- RS-varenummer:
- 214-4454
- Producentens varenummer:
- IRF6645TRPBF
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 rulle af 4800 enheder)*
Kr. 20.179,20
(ekskl. moms)
Kr. 25.224,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 02. november 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 4800 + | Kr. 4,204 | Kr. 20.179,20 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 214-4454
- Producentens varenummer:
- IRF6645TRPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 25A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | DirectFET | |
| Serie | DirectFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 35mΩ | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 42W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 20nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 25A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype DirectFET | ||
Serie DirectFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 35mΩ | ||
Effektafsættelse maks. Pd 42W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 20nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Denne Infineon stærke IRFET effekt MOSFET er optimeret til lav RDS(on) og høj strømkapacitet. Den er ideel til lavfrekvente anvendelser, der kræver ydeevne og robusthed.
Den er optimeret til synkron ensretning
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 25 A 100 V DirectFET, DirectFET
- Infineon Type N-Kanal 270 A 40 V DirectFET
- Infineon Type N-Kanal 124 A 100 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 375 A 60 V Forbedring DirectFET HEXFET
- Infineon Type N-Kanal -160 A -30 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 375 A 40 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 217 A 40 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 35 A 150 V DirectFET, HEXFET