Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 25 A 100 V, 3 Ben, DirectFET, DirectFET
- RS-varenummer:
- 214-4454
- Producentens varenummer:
- IRF6645TRPBF
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 rulle af 4800 enheder)*
Kr. 20.179,20
(ekskl. moms)
Kr. 25.224,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 11. august 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 4800 + | Kr. 4,204 | Kr. 20.179,20 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 214-4454
- Producentens varenummer:
- IRF6645TRPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 25A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Serie | DirectFET | |
| Emballagetype | DirectFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 35mΩ | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 20nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 42W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 25A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Serie DirectFET | ||
Emballagetype DirectFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 35mΩ | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 20nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 42W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Denne Infineon stærke IRFET effekt MOSFET er optimeret til lav RDS(on) og høj strømkapacitet. Den er ideel til lavfrekvente anvendelser, der kræver ydeevne og robusthed.
Den er optimeret til synkron ensretning
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 25 A 100 V DirectFET, DirectFET
- Infineon Type N-Kanal 270 A 40 V DirectFET
- Infineon Type N-Kanal 124 A 100 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 375 A 60 V Forbedring DirectFET HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 375 A 40 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal -160 A -30 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 217 A 40 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 28 A 150 V DirectFET, HEXFET