Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 25 A 100 V, 3 Ben, DirectFET, DirectFET
- RS-varenummer:
- 214-4455
- Producentens varenummer:
- IRF6645TRPBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 56,82
(ekskl. moms)
Kr. 71,02
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 3.350 enhed(er) afsendes fra 16. marts 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | Kr. 5,682 | Kr. 56,82 |
| 50 - 90 | Kr. 5,397 | Kr. 53,97 |
| 100 - 240 | Kr. 5,17 | Kr. 51,70 |
| 250 - 490 | Kr. 4,948 | Kr. 49,48 |
| 500 + | Kr. 4,601 | Kr. 46,01 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 214-4455
- Producentens varenummer:
- IRF6645TRPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 25A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | DirectFET | |
| Serie | DirectFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 35mΩ | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 20nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 42W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 25A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype DirectFET | ||
Serie DirectFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 35mΩ | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 20nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 42W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Denne Infineon stærke IRFET effekt MOSFET er optimeret til lav RDS(on) og høj strømkapacitet. Den er ideel til lavfrekvente anvendelser, der kræver ydeevne og robusthed.
Den er optimeret til synkron ensretning
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 25 A 100 V DirectFET, DirectFET
- Infineon Type N-Kanal 270 A 40 V DirectFET
- Infineon Type N-Kanal 124 A 100 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 375 A 60 V Forbedring DirectFET HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 375 A 40 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal -160 A -30 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 217 A 40 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 28 A 150 V DirectFET, HEXFET