Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 25 A 100 V, 3 Ben, DirectFET, DirectFET Nej IRF6645TRPBF
- RS-varenummer:
- 214-4455
- Producentens varenummer:
- IRF6645TRPBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 56,82
(ekskl. moms)
Kr. 71,02
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 3.350 enhed(er) afsendes fra 01. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | Kr. 5,682 | Kr. 56,82 |
| 50 - 90 | Kr. 5,397 | Kr. 53,97 |
| 100 - 240 | Kr. 5,17 | Kr. 51,70 |
| 250 - 490 | Kr. 4,948 | Kr. 49,48 |
| 500 + | Kr. 4,601 | Kr. 46,01 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 214-4455
- Producentens varenummer:
- IRF6645TRPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 25A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Serie | DirectFET | |
| Emballagetype | DirectFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 35mΩ | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 42W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 20nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 25A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Serie DirectFET | ||
Emballagetype DirectFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 35mΩ | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 42W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 20nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Denne Infineon stærke IRFET effekt MOSFET er optimeret til lav RDS(on) og høj strømkapacitet. Den er ideel til lavfrekvente anvendelser, der kræver ydeevne og robusthed.
Den er optimeret til synkron ensretning
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 25 A 100 V DirectFET IRF6645TRPBF
- Infineon N-Kanal 198 A 40 V DirectFET IRF7946TRPBF
- Infineon N-Kanal 86 A 60 V DirectFET, HEXFET IRF6648TRPBF
- Infineon N-Kanal 375 A 60 V DirectFET, HEXFET IRF7749L1TRPBF
- Infineon N-Kanal 112 A 40 V HEXFET AUIRL7736M2TR
- Infineon N-Kanal 150 A 20 V HEXFET IRF6620TRPBF
- Infineon N-Kanal 81 A 20 V HEXFET IRF6636TRPBF
- Infineon N-Kanal 28 A 150 V HEXFET IRF6775MTRPBF
