Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 56 A 100 V, 3 Ben, TO-252, HEXFET Nej IRFR3710ZTRLPBF
- RS-varenummer:
- 214-4457
- Producentens varenummer:
- IRFR3710ZTRLPBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 15 enheder)*
Kr. 147,975
(ekskl. moms)
Kr. 184,965
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 2.220 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 15 - 15 | Kr. 9,865 | Kr. 147,98 |
| 30 - 60 | Kr. 9,375 | Kr. 140,63 |
| 75 - 135 | Kr. 8,979 | Kr. 134,69 |
| 150 - 360 | Kr. 8,585 | Kr. 128,78 |
| 375 + | Kr. 7,99 | Kr. 119,85 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 214-4457
- Producentens varenummer:
- IRFR3710ZTRLPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 56A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Serie | HEXFET | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 18mΩ | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 140W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 100nC | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 56A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Serie HEXFET | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 18mΩ | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 140W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 100nC | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Denne HEXFET Power MOSFET anvender de nyeste behandlingsteknikker til at opnå ekstremt lav modstand pr. siliciumområde. Yderligere funktioner i dette design er en driftstemperatur for 175 °C saltbro, hurtig skiftehastighed og forbedret gentagen lavine-klassificering.
Designet er yderst effektivt og pålideligt
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 56 A 100 V DPAK (TO-252), HEXFET IRFR3710ZTRLPBF
- Infineon N-Kanal 56 A 55 V DPAK (TO-252), HEXFET IRFR2405TRPBF
- Infineon N-Kanal 56 A 30 V DPAK (TO-252), HEXFET IRFR3707ZTRPBF
- Infineon N-Kanal 43 A 60 V DPAK (TO-252), HEXFET AUIRFR3806TRL
- Infineon N-Kanal 17 A 55 V DPAK (TO-252), HEXFET IRLR024NTRPBF
- Infineon N-Kanal 9 3 ben HEXFET IRFR120NTRLPBF
- Infineon N-Kanal 11 A 55 V DPAK (TO-252), HEXFET AUIRFR9024NTRL
- Infineon N-Kanal 31 A 100 V DPAK (TO-252), HEXFET IRFR3410TRLPBF
