Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 320 A 40 V, 3 Ben, TO-263, HEXFET Nej
- RS-varenummer:
- 214-4460
- Producentens varenummer:
- IRFS7434TRLPBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 rulle af 800 enheder)*
Kr. 6.108,80
(ekskl. moms)
Kr. 7.636,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 02. april 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 800 - 800 | Kr. 7,636 | Kr. 6.108,80 |
| 1600 + | Kr. 7,445 | Kr. 5.956,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 214-4460
- Producentens varenummer:
- IRFS7434TRLPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 320A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.6mΩ | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 294W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 324nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 320A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.6mΩ | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 294W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 324nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Denne Infineon HEXFET Power MOSFET er optimeret til den bredeste tilgængelighed fra distributionspartnere. Den har en blødere husdiode sammenlignet med tidligere siliciumgeneration
Den kan bølgelloddes
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 320 A 40 V D2PAK (TO-263), HEXFET IRFS7434TRLPBF
- Infineon N-Kanal 42 A 75 V HEXFET AUIRFR2407TRL
- Infineon N-Kanal 17 A 20 V HEXFET AUIRFZ24NSTRL
- Infineon N-Kanal 72 A 20 V HEXFET AUIRFS4127TRL
- Infineon N-Kanal 343 A 40 V D2PAK (TO-263), HEXFET IRLS3034TRLPBF
- Infineon N-Kanal 180 A 40 V D2PAK (TO-263), HEXFET IRF1404ZSTRLPBF
- Infineon N-Kanal 170 A 40 V D2PAK (TO-263), HEXFET IRF2204SPBF
- Infineon N-Kanal 160 A 40 V D2PAK (TO-263), HEXFET IRL1404STRLPBF
