Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 320 A 40 V, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- RS-varenummer:
- 214-4462
- Producentens varenummer:
- IRFS7434TRLPBF
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 96,22
(ekskl. moms)
Kr. 120,28
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 690 enhed(er) afsendes fra 16. marts 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 + | Kr. 9,622 | Kr. 96,22 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 214-4462
- Producentens varenummer:
- IRFS7434TRLPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 320A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Serie | HEXFET | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.6mΩ | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 324nC | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 294W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 320A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Serie HEXFET | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.6mΩ | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 324nC | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 294W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Denne Infineon HEXFET Power MOSFET er optimeret til den bredeste tilgængelighed fra distributionspartnere. Den har en blødere husdiode sammenlignet med tidligere siliciumgeneration
Den kan bølgelloddes
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 320 A 40 V TO-263, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 320 A 40 V Forbedring TO-263, HEXFET AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 162 A 40 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 110 A 60 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 180 A 100 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 210 A 60 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 43 A 200 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 160 A 60 V HEXFET