Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 100 A 30 V Forbedring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS 5 Nej BSC0502NSIATMA1
- RS-varenummer:
- 214-8975
- Producentens varenummer:
- BSC0502NSIATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 15 enheder)*
Kr. 89,535
(ekskl. moms)
Kr. 111,915
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 14.985 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 15 - 60 | Kr. 5,969 | Kr. 89,54 |
| 75 - 135 | Kr. 5,67 | Kr. 85,05 |
| 150 - 360 | Kr. 5,431 | Kr. 81,47 |
| 375 - 735 | Kr. 5,186 | Kr. 77,79 |
| 750 + | Kr. 4,832 | Kr. 72,48 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 214-8975
- Producentens varenummer:
- BSC0502NSIATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 100A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Emballagetype | TDSON | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 2.3mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 9nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 43W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.65V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 6.35 mm | |
| Længde | 5.49mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 1.1mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 100A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Emballagetype TDSON | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 2.3mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 9nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 43W | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.65V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 6.35 mm | ||
Længde 5.49mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 1.1mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon-serien af OptiMOS-produkter fås i højtydende pakker til at håndtere de mest udfordrende anvendelser, hvilket giver fuld fleksibilitet på begrænset plads. Disse Infineon-produkter er konstrueret til at opfylde og overstige kravene til energieffektivitet og effekttæthed i de skærpede næste-generations standarder for spændingsregulering i computere.
Monolitisk integreret Schottky-lignende diode
Optimeret til højtydende buck-konvertere
100 % avalanche-testet
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 100 A 30 V SuperSO8 5 x 6, OptiMOS™ 5 BSC0502NSIATMA1
- Infineon N-Kanal 100 A 30 V SuperSO8 5 x 6, OptiMOS™ BSC034N03LSGATMA1
- Infineon N-Kanal 100 A 100 V SuperSO8 5 x 6, OptiMOS™ IAUC100N10S5N040ATMA1
- Infineon N-Kanal 71 A 100 V SuperSO8 5 x 6, OptiMOS™ 5 ISC0805NLSATMA1
- Infineon N-Kanal 100 A 40 V SuperSO8 5 x 6, OptiMOS™ 5 IPC100N04S52R8ATMA1
- Infineon N-Kanal 100 A 40 V SuperSO8 5 x 6, OptiMOS™ 5 IPC100N04S51R9ATMA1
- Infineon N-Kanal 100 A 80 V SuperSO8 5 x 6, OptiMOS™ 5 IAUC100N08S5N043ATMA1
- Infineon N-Kanal 100 A 40 V SuperSO8 5 x 6, OptiMOS™ 5 IPC100N04S5L1R9ATMA1
