Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 30 A 55 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS AEC-Q101

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 2500 enheder)*

Kr. 6.750,00

(ekskl. moms)

Kr. 8.450,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 12.500 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
2500 +Kr. 2,70Kr. 6.750,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
214-9035
Producentens varenummer:
IPD30N06S223ATMA2
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

30A

Drain source spænding maks. Vds

55V

Emballagetype

TO-252

Serie

OptiMOS

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

23mΩ

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

100W

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

25nC

Gennemgangsspænding Vf

1.3V

Driftstemperatur maks.

175°C

Bredde

6.22 mm

Længde

6.5mm

Højde

2.3mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Infineon-serien af OptiMOS-produkter fås i højtydende pakker til at håndtere de mest udfordrende anvendelser, hvilket giver fuld fleksibilitet på begrænset plads. Disse Infineon-produkter er konstrueret til at opfylde og overstige kravene til energieffektivitet og effekttæthed i de skærpede næste-generations standarder for spændingsregulering i computere. Disse er robuste huse med fremragende kvalitet og pålidelighed.

Det er AEC Q101-kvalificeret til brug i biler

100 % lavine-testet

Den har en driftstemperatur på 175 °C.

Relaterede links