Infineon 2 Type N-Kanal Forbedringstilstand, MOSFET, 20 A 40 V Forbedring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS-T2 AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 214-9060
- Producentens varenummer:
- IPG20N04S4L08AATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 15 enheder)*
Kr. 134,595
(ekskl. moms)
Kr. 168,24
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 4.995 enhed(er) afsendes fra 19. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 15 - 60 | Kr. 8,973 | Kr. 134,60 |
| 75 - 135 | Kr. 8,527 | Kr. 127,91 |
| 150 - 360 | Kr. 7,679 | Kr. 115,19 |
| 375 + | Kr. 7,639 | Kr. 114,59 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 214-9060
- Producentens varenummer:
- IPG20N04S4L08AATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 20A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Serie | OptiMOS-T2 | |
| Emballagetype | TDSON | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 8.2mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 54W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 39nC | |
| Portkildespænding maks. | ±16 V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.9V | |
| Transistorkonfiguration | Forbedringstilstand | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS Compliant | |
| Højde | 1mm | |
| Bredde | 5.9 mm | |
| Længde | 5.15mm | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 20A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Serie OptiMOS-T2 | ||
Emballagetype TDSON | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 8.2mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 54W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 39nC | ||
Portkildespænding maks. ±16 V | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.9V | ||
Transistorkonfiguration Forbedringstilstand | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS Compliant | ||
Højde 1mm | ||
Bredde 5.9 mm | ||
Længde 5.15mm | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon-serien af nye OptiMOS-T2 har en række energibesparende MOSFET-transistorer med CO2-reduktion og elektriske drev. Den nye OptiMOS-T2 produktserie udvider de eksisterende serier af OptiMOS-T og OptiMOS. Dual N-channel Logic Level-Enhancement-tilstanden er mulig ved automatisk optisk inspektion (AOI). OptiMOS-produkter fås i højtydende pakker til at håndtere de mest udfordrende opgaver, hvilket giver fuld fleksibilitet på begrænset plads. Disse Infineon produkter er designet til at opfylde og overgå kravene til energieffektivitet og effekttæthed.
Produktet er AEC Q101-kvalificeret
100 % lavine-testet
Den har en driftstemperatur på 175 °C.
Relaterede links
- Infineon 2 Type N-Kanal Forbedringstilstand 20 A 40 V Forbedring TDSON, OptiMOS-T2 AEC-Q101
- Infineon 2 Type N-Kanal Dobbelt 16 A 100 V Forbedring TDSON, OptiMOS-T2 AEC-Q101
- Infineon 2 Type N-Kanal Dobbelt 20 A 100 V Forbedring TDSON, OptiMOS-T2 AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 20 A 40 V Forbedring TDSON-8-4, OptiMOS-T2 Nej
- Infineon Type N-Kanal 20 A 40 V Forbedring TDSON-8-4, OptiMOS-T2 Nej BSC076N04NDATMA1
- Infineon Type N-Kanal 100 A 100 V Forbedring TDSON, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 70 A 40 V Forbedring TDSON, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 100 A 100 V Forbedring TDSON, OptiMOS AEC-Q101 IAUC100N10S5N040ATMA1