Infineon 2 Type N-Kanal Forbedringstilstand, MOSFET, 20 A 40 V Forbedring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS-T2 AEC-Q101

Se alle MOSFET
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
214-9060
Producentens varenummer:
IPG20N04S4L08AATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

20A

Drain source spænding maks. Vds

40V

Emballagetype

TDSON

Serie

OptiMOS-T2

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

8.2mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

0.9V

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

54W

Portkildespænding maks.

±16 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

39nC

Transistorkonfiguration

Forbedringstilstand

Driftstemperatur maks.

175°C

Bredde

5.9 mm

Højde

1mm

Længde

5.15mm

Standarder/godkendelser

RoHS Compliant

Antal elementer per chip

2

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Infineon-serien af nye OptiMOS-T2 har en række energibesparende MOSFET-transistorer med CO2-reduktion og elektriske drev. Den nye OptiMOS-T2 produktserie udvider de eksisterende serier af OptiMOS-T og OptiMOS. Dual N-channel Logic Level-Enhancement-tilstanden er mulig ved automatisk optisk inspektion (AOI). OptiMOS-produkter fås i højtydende pakker til at håndtere de mest udfordrende opgaver, hvilket giver fuld fleksibilitet på begrænset plads. Disse Infineon produkter er designet til at opfylde og overgå kravene til energieffektivitet og effekttæthed.

Produktet er AEC Q101-kvalificeret

100 % lavine-testet

Den har en driftstemperatur på 175 °C.

Relaterede links