Infineon Type N-Kanal, Effekt MOSFET, 20 A 40 V Forbedring, 8 Ben, TDSON-8-4, OptiMOS-T2
- RS-varenummer:
- 273-2628
- Producentens varenummer:
- BSC076N04NDATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 72,71
(ekskl. moms)
Kr. 90,89
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 85 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 14,542 | Kr. 72,71 |
| 50 - 495 | Kr. 13,224 | Kr. 66,12 |
| 500 - 995 | Kr. 10,382 | Kr. 51,91 |
| 1000 - 2495 | Kr. 10,172 | Kr. 50,86 |
| 2500 + | Kr. 9,934 | Kr. 49,67 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 273-2628
- Producentens varenummer:
- BSC076N04NDATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 20A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | TDSON-8-4 | |
| Serie | OptiMOS-T2 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 7.6mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 65W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 28nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS, IEC61249-2-21, DIN IEC 68-1: 55/175/56 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 20A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype TDSON-8-4 | ||
Serie OptiMOS-T2 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 7.6mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 65W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 28nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS, IEC61249-2-21, DIN IEC 68-1: 55/175/56 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon Power MOSFET er en N-kanal 40 V effekt MOSFET. Denne MOSFET er optimeret til drev, og den er 100 procent lavine-testet. Den er kvalificeret til industrielle anvendelser i overensstemmelse med de relevante tests i JEDEC47 20 2.
Halogenfri
I overensstemmelse med RoHS
Blyfri blybelægning
Hurtigt skiftende MOSFET'er
Fremragende termisk modstandsdygtighed
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 20 A 40 V Forbedring TDSON-8-4, OptiMOS-T2
- Infineon 2 Type N-Kanal Forbedringstilstand 20 A 40 V Forbedring TDSON, OptiMOS-T2 AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 55 A 150 V Forbedring PG-TDSON-8, OptiMOS 5
- Infineon Type N-Kanal 87 A 150 V Forbedring PG-TDSON-8, OptiMOS 5
- Infineon Type N-Kanal 76 A 150 V Forbedring PG-TDSON-8, OptiMOS 5
- Infineon 2 Type N-Kanal Dobbelt 20 A 100 V Forbedring TDSON, OptiMOS-T2 AEC-Q101
- Infineon 2 Type N-Kanal Dobbelt 16 A 100 V Forbedring TDSON, OptiMOS-T2 AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 100 A 30 V Forbedring TDSON, OptiMOS