Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 80 A 60 V Forbedring, 3 Ben, TO-262, OptiMOS-T2 AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 214-9067
- Producentens varenummer:
- IPI80N06S4L07AKSA2
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 rør af 50 enheder)*
Kr. 259,70
(ekskl. moms)
Kr. 324,60
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 250 enhed(er) afsendes fra 12. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | Kr. 5,194 | Kr. 259,70 |
| 100 - 200 | Kr. 5,053 | Kr. 252,65 |
| 250 - 450 | Kr. 4,92 | Kr. 246,00 |
| 500 - 950 | Kr. 4,795 | Kr. 239,75 |
| 1000 + | Kr. 4,675 | Kr. 233,75 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 214-9067
- Producentens varenummer:
- IPI80N06S4L07AKSA2
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 80A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | TO-262 | |
| Serie | OptiMOS-T2 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 6.7mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 79W | |
| Portkildespænding maks. | 16 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 58nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 10.2mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 23.45mm | |
| Bredde | 4.4 mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 80A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype TO-262 | ||
Serie OptiMOS-T2 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 6.7mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 79W | ||
Portkildespænding maks. 16 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 58nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 10.2mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 23.45mm | ||
Bredde 4.4 mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon-serien af nye OptiMOS-T2 har en række energibesparende MOSFET-transistorer med CO2-reduktion og elektriske drev. Den nye OptiMOS-T2 produktserie udvider de eksisterende serier af OptiMOS-T og OptiMOS. OptiMOS-produkter fås i højtydende pakker til at håndtere de mest udfordrende opgaver, hvilket giver fuld fleksibilitet på begrænset plads. Disse Infineon-produkter er konstrueret til at opfylde og overstige kravene til energieffektivitet og effekttæthed i de skærpede næste-generations standarder for spændingsregulering i computere.
Produktet er AEC Q101-kvalificeret
Den har en driftstemperatur på 175 °C.
100 % lavine-testet
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 80 A 60 V Forbedring TO-262, OptiMOS-T2 AEC-Q101 IPI80N06S4L07AKSA2
- Infineon Type N-Kanal 80 A 60 V Forbedring TO-262, OptiMOS-T2 AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 80 A 60 V Forbedring TO-262, OptiMOS-T2 AEC-Q101 IPI80N06S407AKSA2
- Infineon Type N-Kanal 45 A 60 V Forbedring TO-262, OptiMOS-T2 AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 45 A 60 V Forbedring TO-262, OptiMOS-T2 AEC-Q101 IPI45N06S409AKSA2
- Infineon Type N-Kanal 80 A 60 V Forbedring TO-263, OptiMOS -T2 AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 80 A 60 V Forbedring TO-263, OptiMOS -T2 AEC-Q101 IPB80N06S4L05ATMA2
- Infineon Type N-Kanal 120 A 80 V Forbedring TO-263, OptiMOS -T2 AEC-Q101