Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 80 A 60 V Forbedring, 3 Ben, TO-262, OptiMOS-T2 AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 214-9068
- Producentens varenummer:
- IPI80N06S4L07AKSA2
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 139,13
(ekskl. moms)
Kr. 173,91
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 250 enhed(er) afsendes fra 03. august 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | Kr. 13,913 | Kr. 139,13 |
| 50 - 90 | Kr. 13,225 | Kr. 132,25 |
| 100 - 240 | Kr. 12,664 | Kr. 126,64 |
| 250 - 490 | Kr. 12,11 | Kr. 121,10 |
| 500 + | Kr. 11,272 | Kr. 112,72 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 214-9068
- Producentens varenummer:
- IPI80N06S4L07AKSA2
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 80A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Serie | OptiMOS-T2 | |
| Emballagetype | TO-262 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 6.7mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 58nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 79W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 10.2mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 23.45mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 80A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Serie OptiMOS-T2 | ||
Emballagetype TO-262 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 6.7mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 58nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 79W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 10.2mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 23.45mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon-serien af nye OptiMOS-T2 har en række energibesparende MOSFET-transistorer med CO2-reduktion og elektriske drev. Den nye OptiMOS-T2 produktserie udvider de eksisterende serier af OptiMOS-T og OptiMOS. OptiMOS-produkter fås i højtydende pakker til at håndtere de mest udfordrende opgaver, hvilket giver fuld fleksibilitet på begrænset plads. Disse Infineon-produkter er konstrueret til at opfylde og overstige kravene til energieffektivitet og effekttæthed i de skærpede næste-generations standarder for spændingsregulering i computere.
Produktet er AEC Q101-kvalificeret
Den har en driftstemperatur på 175 °C.
100 % lavine-testet
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 80 A 60 V Forbedring TO-262, OptiMOS-T2 AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 45 A 60 V Forbedring TO-262, OptiMOS-T2 AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 120 A 80 V Forbedring TO-220, OptiMOS-T2 AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 120 A 80 V Forbedring TO-263, OptiMOS -T2 AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 120 A 80 V Forbedring TO-263, OptiMOS-T2 AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 90 A 40 V I2PAK (TO-262), OptiMOS T2 IPI90N04S402AKSA1
- Infineon Type N-Kanal 180 A 40 V Forbedring TO-263, OptiMOS-T2 AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 86 A 40 V Forbedring TO-252, OptiMOS-T2 AEC-Q101