Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 53.5 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS P6
- RS-varenummer:
- 214-9121
- Producentens varenummer:
- IPZ60R070P6FKSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 141,37
(ekskl. moms)
Kr. 176,712
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 29. april 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | Kr. 70,685 | Kr. 141,37 |
| 10 - 18 | Kr. 63,655 | Kr. 127,31 |
| 20 - 48 | Kr. 60,065 | Kr. 120,13 |
| 50 - 98 | Kr. 55,84 | Kr. 111,68 |
| 100 + | Kr. 51,575 | Kr. 103,15 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 214-9121
- Producentens varenummer:
- IPZ60R070P6FKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 53.5A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Serie | CoolMOS P6 | |
| Emballagetype | TO-247 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 70mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.9V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 391W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 100nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 16.13mm | |
| Højde | 21.1mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 53.5A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Serie CoolMOS P6 | ||
Emballagetype TO-247 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 70mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.9V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 391W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 100nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 16.13mm | ||
Højde 21.1mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon CoolMOS er en revolutionerende teknologi til højspændings power MOSFET'er, der er designet i henhold til superjunction-princippet (SJ) og er udviklet af Infineon Technologies. CoolMOS P6-serien kombinerer oplevelsen fra den førende SJ MOSFET-leverandør med innovation i høj klasse. De tilbudte enheder giver alle fordelene ved en hurtig switching SJ MOSFET, uden at det går ud over brugervenligheden. Ekstremt lave koblings- og ledningstab gør switching-anvendelser endnu mere effektive, mere kompakte, lettere og køligere.
Let at bruge/køre på grund af driver-kildestiften for bedre kontrol af lågen
Kvalificeret til industrielle anvendelser i henhold til JEDEC
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 53.5 A 600 V Forbedring TO-247, CoolMOS P6
- Infineon Type N-Kanal 13.8 A 600 V Forbedring TO-247, CoolMOS P6
- Infineon Type N-Kanal 20 A 650 V Forbedring TO-247, CoolMOS P6
- Infineon Type N-Kanal 109 A 650 V Forbedring TO-247, CoolMOS P6
- Infineon Type N-Kanal 19.2 A 600 V Forbedring VSON, CoolMOS P6
- Infineon Type N-Kanal 22.4 A 600 V Forbedring VSON, CoolMOS P6
- Infineon Type N-Kanal 23.8 A 600 V Forbedring TO-220, CoolMOS P6
- Infineon Type N-Kanal 76 A 600 V Forbedring TO-247, CoolMOS