Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 42 A 100 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, HEXFET Nej
- RS-varenummer:
- 215-2571
- Producentens varenummer:
- IRF1310NSTRLPBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 rulle af 800 enheder)*
Kr. 5.073,60
(ekskl. moms)
Kr. 6.342,40
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 3.200 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 800 - 800 | Kr. 6,342 | Kr. 5.073,60 |
| 1600 + | Kr. 6,025 | Kr. 4.820,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 215-2571
- Producentens varenummer:
- IRF1310NSTRLPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 42A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Serie | HEXFET | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 36mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 110nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 160W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Bredde | 1.079 in | |
| Højde | 1.197in | |
| Længde | 14.173in | |
| Standarder/godkendelser | EIA 418 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 42A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Serie HEXFET | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 36mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 110nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 160W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Bredde 1.079 in | ||
Højde 1.197in | ||
Længde 14.173in | ||
Standarder/godkendelser EIA 418 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon-serien af femte generation af HEXFET fra International Rectifier anvender Advanced Processing-teknikker til at opnå ekstremt lav modstand i Silicon-området. Disse fordele kombineret med den hurtige koblingshastighed og det robuste enhedsdesign, som HEXFET power MOSFET er kendt for, giver en enhed med tilstrækkeligt niveau til, giver designeren en ekstremt effektiv og pålidelig enhed til brug i en lang række anvendelser. D2PACK er en overflademonteret strømpakke, der kan rumme matricer i størrelser op til HEX-4. Den giver den højeste effekt og den lavest mulige modstand ved montering på overfladen i alle eksisterende overflademonterede huse. D2PACK er velegnet til anvendelser med høj strømstyrke på grund af sin lave interne tilslutningsmodstand og kan afgive op til 2,0 W i en typisk overflademonteret anvendelse.
Avanceret procesteknologi
Fuldt lavinenominel
Hurtigt skift
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 42 A 100 V Forbedring TO-263, HEXFET Nej IRF1310NSTRLPBF
- Infineon Type N-Kanal 173 A 60 V Forbedring TO-263, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 7 Ben HEXFET AUIRLS3036-7P
- Infineon Type N-Kanal 173 A 60 V Forbedring TO-263, HEXFET IRFS7537TRLPBF
- Infineon Type P-Kanal -42 A -55 V HEXFET AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 18 A 200 V Forbedring TO-263, HEXFET Nej
- Infineon Type N-Kanal 36 A 100 V Forbedring TO-263, HEXFET Nej
- Infineon Type N-Kanal 100 A 75 V Forbedring TO-263, HEXFET Nej