Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 42 A 100 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- RS-varenummer:
- 215-2572
- Elfa Distrelec varenummer:
- 304-39-412
- Producentens varenummer:
- IRF1310NSTRLPBF
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 65,58
(ekskl. moms)
Kr. 81,98
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 3.550 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 + | Kr. 6,558 | Kr. 65,58 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 215-2572
- Elfa Distrelec varenummer:
- 304-39-412
- Producentens varenummer:
- IRF1310NSTRLPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 42A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Serie | HEXFET | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 36mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 110nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 160W | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 14.173in | |
| Standarder/godkendelser | EIA 418 | |
| Bredde | 1.079 in | |
| Højde | 1.197in | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 42A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Serie HEXFET | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 36mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 110nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 160W | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 14.173in | ||
Standarder/godkendelser EIA 418 | ||
Bredde 1.079 in | ||
Højde 1.197in | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon-serien af femte generation af HEXFET fra International Rectifier anvender Advanced Processing-teknikker til at opnå ekstremt lav modstand i Silicon-området. Disse fordele kombineret med den hurtige koblingshastighed og det robuste enhedsdesign, som HEXFET power MOSFET er kendt for, giver en enhed med tilstrækkeligt niveau til, giver designeren en ekstremt effektiv og pålidelig enhed til brug i en lang række anvendelser. D2PACK er en overflademonteret strømpakke, der kan rumme matricer i størrelser op til HEX-4. Den giver den højeste effekt og den lavest mulige modstand ved montering på overfladen i alle eksisterende overflademonterede huse. D2PACK er velegnet til anvendelser med høj strømstyrke på grund af sin lave interne tilslutningsmodstand og kan afgive op til 2,0 W i en typisk overflademonteret anvendelse.
Avanceret procesteknologi
Fuldt lavinenominel
Hurtigt skift
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 42 A 100 V Forbedring TO-263, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 7 Ben HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 269 A 75 V Forbedring TO-263, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 210 A 55 V Forbedring TO-263, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 160 A 40 V Forbedring TO-263, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 173 A 60 V Forbedring TO-263, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 29 A 55 V Forbedring TO-263, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 183 A 75 V Forbedring TO-263, HEXFET