Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 5 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, IPD

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 50 enheder)*

Kr. 184,00

(ekskl. moms)

Kr. 230,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • 2.500 enhed(er) afsendes fra 19. marts 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
50 - 50Kr. 3,68Kr. 184,00
100 - 200Kr. 2,871Kr. 143,55
250 - 450Kr. 2,687Kr. 134,35
500 - 1200Kr. 2,503Kr. 125,15
1250 +Kr. 2,319Kr. 115,95

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
217-2521
Producentens varenummer:
IPD60R1K5CEAUMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

5A

Drain source spænding maks. Vds

600V

Serie

IPD

Emballagetype

TO-252

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

1.5Ω

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

0.9V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

9.4nC

Effektafsættelse maks. Pd

49W

Portkildespænding maks.

20 V

Min. driftstemperatur

-40°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Højde

2.41mm

Standarder/godkendelser

No

Bredde

6.22 mm

Længde

6.73mm

Bilindustristandarder

Nej

Infineon CoolMOS™ CE er velegnet til hårde og bløde switching-anvendelser, og som moderne superjunction leverer den lav overledning og skiftetab, hvilket forbedrer effektiviteten og reducerer strømforbruget i sidste ende. 600 V, 650 V og 700 V CoolMOS™ CE kombinerer optimal R DS (ON) og pakken, der tilbyder velegnede til ladere med lavt strømforbrug til mobiltelefoner og tablets.

Smalle margener mellem typisk og maks. R DS (til)

Reduceret energi lagret i udgangskapacitet (E oss)

God robusthed i husdioden og reduceret returladning (Q rr)

Optimeret integreret R g

Relaterede links