Infineon N-Kanal, MOSFET, 5 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, IPD
- RS-varenummer:
- 217-2521
- Producentens varenummer:
- IPD60R1K5CEAUMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 50 enheder)*
Kr. 202,85
(ekskl. moms)
Kr. 253,55
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 2.450 enhed(er) afsendes fra 09. oktober 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | Kr. 4,057 | Kr. 202,85 |
| 100 - 200 | Kr. 3,166 | Kr. 158,30 |
| 250 - 450 | Kr. 2,962 | Kr. 148,10 |
| 500 - 1200 | Kr. 2,759 | Kr. 137,95 |
| 1250 + | Kr. 2,557 | Kr. 127,85 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 217-2521
- Producentens varenummer:
- IPD60R1K5CEAUMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 5A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Serie | IPD | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.5Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 900mV | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 9.4nC | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 49W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 6.73mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 6.22mm | |
| Højde | 2.41mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 5A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Serie IPD | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.5Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 900mV | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 9.4nC | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 49W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 6.73mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 6.22mm | ||
Højde 2.41mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon CoolMOS™ CE er velegnet til hårde og bløde switching-anvendelser, og som moderne superjunction leverer den lav overledning og skiftetab, hvilket forbedrer effektiviteten og reducerer strømforbruget i sidste ende. 600 V, 650 V og 700 V CoolMOS™ CE kombinerer optimal R DS (ON) og pakken, der tilbyder velegnede til ladere med lavt strømforbrug til mobiltelefoner og tablets.
Smalle margener mellem typisk og maks. R DS (til)
Reduceret energi lagret i udgangskapacitet (E oss)
God robusthed i husdioden og reduceret returladning (Q rr)
Optimeret integreret R g
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 5 A 600 V Forbedring TO-252, IPD
- Infineon N-Kanal 9 A 600 V Forbedring TO-252, IPD
- Infineon N-Kanal 14.7 A 600 V Forbedring TO-252, IPD
- Infineon N-Kanal 6 A 600 V Forbedring TO-252, IPD
- Infineon N-Kanal 31 A 650 V Forbedring IPD
- Infineon N-Kanal 90 A 60 V Forbedring TO-252, IPD
- Infineon N-Kanal 143 A 40 V Forbedring TO-252, IPD
- Infineon N-Kanal 139 A 60 V Forbedring TO-252, IPD