Infineon N-Kanal, MOSFET, 2 A 800 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, IPD AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 217-2532
- Producentens varenummer:
- IPD80R2K7C3AATMA1
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 pakke af 20 enheder)*
Kr. 154,92
(ekskl. moms)
Kr. 193,64
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 2.120 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 20 + | Kr. 7,746 | Kr. 154,92 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 217-2532
- Producentens varenummer:
- IPD80R2K7C3AATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 2A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 800V | |
| Serie | IPD | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 2.7Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 12nC | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 42W | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 6.73mm | |
| Højde | 2.41mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 6.22mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 2A | ||
Drain source spænding maks. Vds 800V | ||
Serie IPD | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 2.7Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 12nC | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 42W | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 6.73mm | ||
Højde 2.41mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 6.22mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon CoolMOS™ C3A-teknologien er designet til at imødekomme de stigende krav fra højere systemspændinger inden for elektriske køretøjer, såsom PHEV og BEV.
Klassens bedste kvalitet og pålidelighed
Højere gennemslagsspænding
Kan håndtere høj spidsstrøm
Automotiv AEC Q101 kvalificeret
Grøn pakke (overholder RoHS)
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 2 A 800 V Forbedring TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 13 A 800 V Forbedring TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 14 A 950 V Forbedring TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 50 A 80 V Forbedring TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 90 A 40 V Forbedring TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 60 A 100 V Forbedring TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 90 A 100 V Forbedring TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 80 A 75 V Forbedring TO-252, IPD AEC-Q101