Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 22.4 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS CFDA AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 217-2563
- Producentens varenummer:
- IPP65R150CFDAAKSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 154,39
(ekskl. moms)
Kr. 192,99
(inkl. moms)
Tilføj 20 enheder for at opnå gratis levering
Restlager hos RS
- Sidste 935 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | Kr. 30,878 | Kr. 154,39 |
| 10 - 20 | Kr. 26,854 | Kr. 134,27 |
| 25 - 45 | Kr. 25,014 | Kr. 125,07 |
| 50 - 120 | Kr. 23,458 | Kr. 117,29 |
| 125 + | Kr. 21,618 | Kr. 108,09 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 217-2563
- Producentens varenummer:
- IPP65R150CFDAAKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 22.4A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Serie | CoolMOS CFDA | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 150mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 195.3W | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.9V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 15nC | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 5.21 mm | |
| Højde | 41.42mm | |
| Længde | 16.13mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 22.4A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Serie CoolMOS CFDA | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 150mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 195.3W | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.9V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 15nC | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 5.21 mm | ||
Højde 41.42mm | ||
Længde 16.13mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon 650V CoolMOS™ CSDA Superjunction (SJ) MOSFET er Infineons anden generation af markedets førende automotive-kvalificerede CoolMOS™ power MOSFET'er med høj spænding. Ud over de velkendte egenskaber for høj kvalitet og pålidelighed, der kræves af bilindustrien, giver 650V CoolMOS™ CNDA-serien også en integreret fast body-diode.
Første 650 V godkendt teknologi til brug i biler med integreret fast body-diode på markedet
Begrænset spændingsoverskridelse under hård kommutation – selvbegrænsende di/dt og dv/dt
Lav gate-opladningsværdi Q g
Lav Q rr ved gentagen kommutation på kropsdiode og Lav Q oss
Reduceret tænd- og tænd-tid
I overensstemmelse med AEC Q101 standarden
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 22.4 A 650 V Forbedring TO-220, CoolMOS CFDA AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 31.2 A 650 V Forbedring TO-220, CoolMOS AEC-Q101
- Infineon 24.3 A 650 V TO-220, CoolMOS^TM
- Infineon 20.7 A 650 V TO-220, CoolMOS^TM
- Infineon 11 A 650 V TO-220, CoolMOS^TM
- Infineon Type N-Kanal 9 A 650 V Forbedring TO-220, CoolMOS
- Infineon Type N-Kanal 37.9 A 650 V Forbedring TO-220, CoolMOS
- Infineon Type N-Kanal 16 A 650 V Forbedring TO-220, CoolMOS