Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 22.4 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS CFDA AEC-Q101

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 158,88

(ekskl. moms)

Kr. 198,60

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Sidste 935 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 - 5Kr. 31,776Kr. 158,88
10 - 20Kr. 27,646Kr. 138,23
25 - 45Kr. 25,746Kr. 128,73
50 - 120Kr. 24,146Kr. 120,73
125 +Kr. 22,246Kr. 111,23

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
217-2563
Producentens varenummer:
IPP65R150CFDAAKSA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

22.4A

Drain source spænding maks. Vds

650V

Serie

CoolMOS CFDA

Emballagetype

TO-220

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

150mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-40°C

Gennemgangsspænding Vf

0.9V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

15nC

Effektafsættelse maks. Pd

195.3W

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Længde

16.13mm

Højde

41.42mm

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Infineon 650V CoolMOS™ CSDA Superjunction (SJ) MOSFET er Infineons anden generation af markedets førende automotive-kvalificerede CoolMOS™ power MOSFET'er med høj spænding. Ud over de velkendte egenskaber for høj kvalitet og pålidelighed, der kræves af bilindustrien, giver 650V CoolMOS™ CNDA-serien også en integreret fast body-diode.

Første 650 V godkendt teknologi til brug i biler med integreret fast body-diode på markedet

Begrænset spændingsoverskridelse under hård kommutation – selvbegrænsende di/dt og dv/dt

Lav gate-opladningsværdi Q g

Lav Q rr ved gentagen kommutation på kropsdiode og Lav Q oss

Reduceret tænd- og tænd-tid

I overensstemmelse med AEC Q101 standarden

Relaterede links