Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 34 A 200 V Forbedring, 8 Ben, SuperSO, HEXFET Nej

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 4000 enheder)*

Kr. 26.144,00

(ekskl. moms)

Kr. 32.680,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • 4.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
4000 +Kr. 6,536Kr. 26.144,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
217-2608
Producentens varenummer:
IRFH5020TRPBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

34A

Drain source spænding maks. Vds

200V

Emballagetype

SuperSO

Serie

HEXFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

55mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

3.6W

Gennemgangsspænding Vf

1.3V

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

34nC

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Længde

5mm

Bredde

6 mm

Højde

0.9mm

Bilindustristandarder

Nej

Infineon 200 V enkelt N-kanal HEXFET Power MOSFET i 5 mm X 6 mm PQFN hus.

Optimeret til den bredeste tilgængelighed fra distributionspartnere

Produktkvalifikation i henhold til JEDEC-standarden

Normalt niveau: Optimeret til 10 V gate drivspænding

Industristandard overflademonteret strømpakke

Relaterede links