Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 324 A 25 V, 8 Ben, SuperSO, HEXFET
- RS-varenummer:
- 218-3104
- Producentens varenummer:
- IRFH8201TRPBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 103,22
(ekskl. moms)
Kr. 129,02
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 24. september 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | Kr. 10,322 | Kr. 103,22 |
| 50 - 90 | Kr. 9,814 | Kr. 98,14 |
| 100 - 240 | Kr. 9,395 | Kr. 93,95 |
| 250 - 490 | Kr. 8,991 | Kr. 89,91 |
| 500 + | Kr. 8,355 | Kr. 83,55 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 218-3104
- Producentens varenummer:
- IRFH8201TRPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 324A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 25V | |
| Emballagetype | SuperSO | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 950mΩ | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 56nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 156W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 0.9mm | |
| Længde | 6mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 324A | ||
Drain source spænding maks. Vds 25V | ||
Emballagetype SuperSO | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 950mΩ | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 56nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 156W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 0.9mm | ||
Længde 6mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon HEXFET-serien enkelt N-kanal Power MOSFET. Den bruges primært i batteridrevne invertere til DC-motorer.
Kompatibel med eksisterende teknikker til overflademontering
Lav termisk modstand til print (<0,8 °C/W)
Overholder RoHS, halogenfri
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 324 A 25 V SuperSO, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 34 A 200 V Forbedring SuperSO, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 100 A 25 V Forbedring SuperSO, OptiMOS 5
- Infineon Type N-Kanal 64 A 60 V N SuperSO, OptiMOS
- Infineon Type N-Kanal 234 A 60 V N SuperSO, OptiMOS
- Infineon Type N-Kanal 24 A 250 V N SuperSO, OptiMOS 3
- Infineon Type N-Kanal 87 A 150 V N SuperSO, OptiMOS 5
- Infineon Type N-Kanal 56 A 150 V N SuperSO, OptiMOS 5