Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 34 A 200 V Forbedring, 8 Ben, SuperSO, HEXFET
- RS-varenummer:
- 217-2609
- Producentens varenummer:
- IRFH5020TRPBF
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 107,71
(ekskl. moms)
Kr. 134,64
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 6.740 enhed(er) afsendes fra 23. juli 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 + | Kr. 10,771 | Kr. 107,71 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 217-2609
- Producentens varenummer:
- IRFH5020TRPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 34A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 200V | |
| Serie | HEXFET | |
| Emballagetype | SuperSO | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 55mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 3.6W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 34nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Længde | 5mm | |
| Højde | 0.9mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 34A | ||
Drain source spænding maks. Vds 200V | ||
Serie HEXFET | ||
Emballagetype SuperSO | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 55mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 3.6W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 34nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Længde 5mm | ||
Højde 0.9mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon 200 V enkelt N-kanal HEXFET Power MOSFET i 5 mm X 6 mm PQFN hus.
Optimeret til den bredeste tilgængelighed fra distributionspartnere
Produktkvalifikation i henhold til JEDEC-standarden
Normalt niveau: Optimeret til 10 V gate drivspænding
Industristandard overflademonteret strømpakke
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 34 A 200 V Forbedring SuperSO, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 324 A 25 V SuperSO, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 95 A 80 V Forbedring SuperSO, OptiMOS
- Infineon Type N-Kanal 100 A 30 V Forbedring SuperSO, OptiMOS
- Infineon Type N-Kanal 98 A 40 V Forbedring SuperSO, OptiMOS
- Infineon Type N-Kanal 47 A 60 V Forbedring SuperSO, OptiMOS
- Infineon Type N-Kanal 81 A 40 V Forbedring SuperSO, OptiMOS
- Infineon Type N-Kanal 70 A 40 V Forbedring SuperSO, OptiMOS 5