Infineon N-Kanal, MOSFET, 34 A 200 V Forbedring, 8 Ben, SuperSO, HEXFET

Se alle MOSFET

Indhold (10 enheder, i en pakke med 10)*

Kr. 134,71

(ekskl. moms)

Kr. 168,39

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 6.700 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
10 +Kr. 13,471Kr. 134,71

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
217-2609
Producentens varenummer:
IRFH5020TRPBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

34A

Drain source spænding maks. Vds

200V

Serie

HEXFET

Emballagetype

SuperSO

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

55mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

3.6W

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

34nC

Gennemgangsspænding Vf

1.3V

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

5mm

Bredde

6mm

Standarder/godkendelser

RoHS

Højde

900μm

Bilindustristandarder

Nej

Infineon 200 V enkelt N-kanal HEXFET Power MOSFET i 5 mm X 6 mm PQFN hus.

Optimeret til den bredeste tilgængelighed fra distributionspartnere

Produktkvalifikation i henhold til JEDEC-standarden

Normalt niveau: Optimeret til 10 V gate drivspænding

Industristandard overflademonteret strømpakke

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.