Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 34 A 200 V Forbedring, 8 Ben, SuperSO, HEXFET Nej IRFH5020TRPBF

Se alle MOSFET

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 66,12

(ekskl. moms)

Kr. 82,65

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 6.790 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
10 +Kr. 6,612Kr. 66,12

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
217-2609
Producentens varenummer:
IRFH5020TRPBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

34A

Drain source spænding maks. Vds

200V

Emballagetype

SuperSO

Serie

HEXFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

55mΩ

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

3.6W

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

34nC

Gennemgangsspænding Vf

1.3V

Driftstemperatur maks.

150°C

Højde

0.9mm

Længde

5mm

Bredde

6 mm

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

Nej

Infineon 200 V enkelt N-kanal HEXFET Power MOSFET i 5 mm X 6 mm PQFN hus.

Optimeret til den bredeste tilgængelighed fra distributionspartnere

Produktkvalifikation i henhold til JEDEC-standarden

Normalt niveau: Optimeret til 10 V gate drivspænding

Industristandard overflademonteret strømpakke

Relaterede links