Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 86 A 30 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, HEXFET

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 rulle af 2000 enheder)*

Kr. 5.510,00

(ekskl. moms)

Kr. 6.888,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
2000 - 2000Kr. 2,755Kr. 5.510,00
4000 +Kr. 2,617Kr. 5.234,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
217-2621
Producentens varenummer:
IRFR3709ZTRPBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

86A

Drain source spænding maks. Vds

30V

Emballagetype

TO-252

Serie

HEXFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

8.2mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

17nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

79W

Gennemgangsspænding Vf

1V

Driftstemperatur maks.

175°C

Højde

2.39mm

Bredde

6.22 mm

Standarder/godkendelser

No

Længde

6.37mm

Bilindustristandarder

Nej

Infineon 30 V enkelt N-kanal HEXFET Power MOSFET i et D-Pak hus.

Meget lav RDS(on) ved 4,5 V VGS

Ultra-lav gate-impedans

Fuldt karakteriseret lavine spænding

Og strøm

Relaterede links