Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 4 A 800 V, 3 Ben, TO-252, CoolMOS C3
- RS-varenummer:
- 217-2644
- Producentens varenummer:
- SPD04N80C3ATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 79,89
(ekskl. moms)
Kr. 99,86
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 3.380 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | Kr. 7,989 | Kr. 79,89 |
| 50 - 90 | Kr. 7,592 | Kr. 75,92 |
| 100 - 240 | Kr. 7,271 | Kr. 72,71 |
| 250 - 490 | Kr. 6,956 | Kr. 69,56 |
| 500 + | Kr. 6,612 | Kr. 66,12 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 217-2644
- Producentens varenummer:
- SPD04N80C3ATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 4A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 800V | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Serie | CoolMOS C3 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.3Ω | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 63W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 31nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | JEDEC, RoHS | |
| Højde | 6.22mm | |
| Længde | 6.73mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 4A | ||
Drain source spænding maks. Vds 800V | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Serie CoolMOS C3 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.3Ω | ||
Effektafsættelse maks. Pd 63W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 31nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser JEDEC, RoHS | ||
Højde 6.22mm | ||
Længde 6.73mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon 800V CoolMOS™ C3 er Infineons tredje serie af CoolMOS™ med markedsadgang i 2001. C3 er porteføljens "arbejdshest". .
Lav specifik modstand i tændt tilstand (RDS(on) * A)
Meget lav energilagring i udgangskapacitet (Eoss) ved 400 V.
Lav gate-opladning (QG)
CoolMOS™-kvalitet, der er afprøvet i felten
CoolMOS™-teknologi er fremstillet af Infineons siden 1998
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 4 A 800 V TO-252, CoolMOS C3
- Infineon Type N-Kanal 6 A 800 V TO-252, CoolMOS
- Infineon Type N-Kanal 2 A 800 V Forbedring TO-252, CoolMOS
- Infineon Type N-Kanal 17 A 800 V Forbedring TO-220, CoolMOS C3
- Infineon Type N-Kanal 4 A 800 V Forbedring TO-220, CoolMOS C3
- Infineon Type N-Kanal 17 A 800 V Forbedring TO-247, CoolMOS C3
- Infineon Type N-Kanal 11 A 800 V Forbedring TO-247, CoolMOS C3
- Infineon Type N-Kanal 11 A 800 V Forbedring TO-220, CoolMOS C3