Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 6 A 800 V, 3 Ben, TO-252, CoolMOS
- RS-varenummer:
- 214-4481
- Elfa Distrelec varenummer:
- 304-39-429
- Producentens varenummer:
- SPD06N80C3ATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 97,84
(ekskl. moms)
Kr. 122,30
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 3.980 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | Kr. 9,784 | Kr. 97,84 |
| 50 - 90 | Kr. 9,298 | Kr. 92,98 |
| 100 - 240 | Kr. 8,916 | Kr. 89,16 |
| 250 - 490 | Kr. 8,512 | Kr. 85,12 |
| 500 + | Kr. 7,936 | Kr. 79,36 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 214-4481
- Elfa Distrelec varenummer:
- 304-39-429
- Producentens varenummer:
- SPD06N80C3ATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 6A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 800V | |
| Serie | CoolMOS | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 900mΩ | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 41nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 83W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 6A | ||
Drain source spænding maks. Vds 800V | ||
Serie CoolMOS | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 900mΩ | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 41nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 83W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Denne Infineon Cool MOS MOSFET anvender ny revolutionerende højspændingsteknologi og har høj peak-strømkapacitet.
Ultralav effektiv kapacitans
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 6 A 800 V TO-252, CoolMOS
- Infineon Type N-Kanal 2 A 800 V Forbedring TO-252, CoolMOS
- Infineon Type N-Kanal 4 A 800 V TO-252, CoolMOS C3
- Infineon Type N-Kanal 4 A 800 V Forbedring TO-252, CoolMOS P7
- Infineon Type N-Kanal 3.9 A 800 V Forbedring TO-252, CoolMOS CE
- Infineon Type N-Kanal 8 A 800 V Forbedring TO-252, CoolMOS P7
- Infineon Type N-Kanal 7 A 800 V Forbedring TO-252, CoolMOS P7
- Infineon Type N-Kanal 1.9 A 800 V Forbedring TO-252, CoolMOS P7