Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 35 A 200 V N, 8 Ben, TDSON, OptiMOS 3 Nej BSC350N20NSFDATMA1
- RS-varenummer:
- 218-2979
- Producentens varenummer:
- BSC350N20NSFDATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 79,70
(ekskl. moms)
Kr. 99,60
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 720 enhed(er) afsendes fra 05. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | Kr. 15,94 | Kr. 79,70 |
| 25 - 45 | Kr. 13,39 | Kr. 66,95 |
| 50 - 120 | Kr. 12,608 | Kr. 63,04 |
| 125 - 245 | Kr. 11,636 | Kr. 58,18 |
| 250 + | Kr. 10,824 | Kr. 54,12 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 218-2979
- Producentens varenummer:
- BSC350N20NSFDATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 35A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 200V | |
| Serie | OptiMOS 3 | |
| Emballagetype | TDSON | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 35mΩ | |
| Kanalform | N | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 22nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 150W | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 5.35mm | |
| Bredde | 6.1 mm | |
| Højde | 1.2mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 35A | ||
Drain source spænding maks. Vds 200V | ||
Serie OptiMOS 3 | ||
Emballagetype TDSON | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 35mΩ | ||
Kanalform N | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 22nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 150W | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 5.35mm | ||
Bredde 6.1 mm | ||
Højde 1.2mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon OptiMOS™-seriens N-kanal MOSFET. Disse enheder er det perfekte valg til anvendelser med hårde omskiftning, f.eks. telekommunikation, industrielle strømforsyninger, klasse D-lydforstærkere, motorstyring og DC-AC-inverter. Den er ideel til højfrekvent omskiftning og synkron ensretning.
N-kanal, normalt niveau
Meget lav ON-modstand RDS (ON)
Blyfri forgyldning
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 35 A 200 V TDSON, OptiMOS™ 3 BSC350N20NSFDATMA1
- Infineon TDSON-8, OptiMOS™ BSC014N06NSTATMA1
- Infineon N-Kanal 7 A 200 V TDSON, OptiMOS™ 3 BSC22DN20NS3GATMA1
- Infineon N-Kanal 36 A 200 V TDSON, OptiMOS™ 3 BSC320N20NS3GATMA1
- Infineon N-Kanal 15 8 ben OptiMOS™ 3 BSC900N20NS3GATMA1
- Infineon N-Kanal 11 8 ben OptiMOS™ 3 BSC12DN20NS3GATMA1
- Infineon N-Kanal 24 A 200 V TDSON, OptiMOS™ 3 BSC500N20NS3GATMA1
- Infineon N-Kanal 134 A 60 V TDSON, OptiMOS™ BSC027N06LS5ATMA1
