Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 73 A 80 V N, 3 Ben, TO-252, OptiMOS 3
- RS-varenummer:
- 218-3038
- Producentens varenummer:
- IPD096N08N3GATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 15 enheder)*
Kr. 122,22
(ekskl. moms)
Kr. 152,775
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 30. oktober 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 15 - 60 | Kr. 8,148 | Kr. 122,22 |
| 75 - 135 | Kr. 7,739 | Kr. 116,09 |
| 150 - 360 | Kr. 7,42 | Kr. 111,30 |
| 375 - 735 | Kr. 7,091 | Kr. 106,37 |
| 750 + | Kr. 6,607 | Kr. 99,11 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 218-3038
- Producentens varenummer:
- IPD096N08N3GATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 73A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 80V | |
| Serie | OptiMOS 3 | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 9.6mΩ | |
| Kanalform | N | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 26nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 100W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 6.73mm | |
| Højde | 2.41mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 73A | ||
Drain source spænding maks. Vds 80V | ||
Serie OptiMOS 3 | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 9.6mΩ | ||
Kanalform N | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 26nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 100W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 6.73mm | ||
Højde 2.41mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon N-kanal Power MOSFET. Denne MOSFET er ideel til højfrekvent omskiftning.
Optimeret teknologi til DC/DC-konvertere
N-kanal, normalt niveau
100 % avalanche-testet
Blyfri belægning; I overensstemmelse med RoHS
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 73 A 80 V N TO-252, OptiMOS 3
- Infineon Type N-Kanal 45 A 80 V N TO-252, OptiMOS-TM3
- Infineon Type N-Kanal 80 A 100 V Forbedring TO-252, OptiMOS 3
- Infineon Type N-Kanal 73 A 40 V N TDSON, OptiMOS 3
- Infineon Type N-Kanal 73 A 30 V Forbedring PG-TO252-3, OptiMOS
- Infineon Type N-Kanal 21 A 150 V Forbedring TO-252, OptiMOS 3
- Infineon Type N-Kanal 100 A 60 V Forbedring TO-252, OptiMOS 3
- Infineon Type N-Kanal 50 A 60 V Forbedring TO-252, OptiMOS