Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 73 A 30 V Forbedring, 3 Ben, PG-TO252-3, OptiMOS
- RS-varenummer:
- 349-430
- Producentens varenummer:
- IPD040N03LF2SATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 49,07
(ekskl. moms)
Kr. 61,34
(inkl. moms)
Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig - Vend tilbage senere
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | Kr. 4,907 | Kr. 49,07 |
| 100 - 240 | Kr. 4,668 | Kr. 46,68 |
| 250 - 490 | Kr. 4,323 | Kr. 43,23 |
| 500 - 990 | Kr. 3,979 | Kr. 39,79 |
| 1000 + | Kr. 3,83 | Kr. 38,30 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 349-430
- Producentens varenummer:
- IPD040N03LF2SATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 73A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Emballagetype | PG-TO252-3 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 4.05mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 75W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 21nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS, IEC61249-2-21, DIN IEC 68-1: 55/175/56 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 73A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Serie OptiMOS | ||
Emballagetype PG-TO252-3 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 4.05mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 75W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 21nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS, IEC61249-2-21, DIN IEC 68-1: 55/175/56 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Infineons StrongIRFET 2 power MOSFET 30 V-teknologi har klassens bedste RDS(on) på 4 mOhm i en DPAK-pakke. Dette produkt henvender sig til en bred vifte af applikationer fra lav til høj skiftefrekvens.
Produkter til generelle formål
Fremragende robusthed
Bred tilgængelighed hos distributører
Standardpakker og pin-out
Høje produktions- og leveringsstandarder
Relaterede links
- Infineon Type P-Kanal 4.3 A 60 V Forbedring PG-TO252-3, OptiMOS
- Infineon Type N-Kanal 4.7 A 600 V Forbedring PG-TO252-3, OptiMOS
- Infineon Type P-Kanal 6.5 A 60 V Forbedring PG-TO252-3, OptiMOS
- Infineon Type N-Kanal 6 A 950 V Forbedring PG-TO252-3, OptiMOS
- Infineon Type N-Kanal 90 A 80 V Forbedring PG-TO252-3, OptiMOS
- Infineon Type N-Kanal 143 A 30 V Forbedring PG-TO252-3, OptiMOS
- Infineon Type N-Kanal 99 A 30 V Forbedring PG-TO252-3, OptiMOS
- Infineon Type N-Kanal 137 A 30 V Forbedring PG-TO252-3, OptiMOS
