Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 73 A 30 V Forbedring, 3 Ben, PG-TO252-3, OptiMOS

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 55,13

(ekskl. moms)

Kr. 68,91

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 1.980 enhed(er) afsendes fra 20. februar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
10 - 90Kr. 5,513Kr. 55,13
100 - 240Kr. 5,243Kr. 52,43
250 - 490Kr. 4,855Kr. 48,55
500 - 990Kr. 4,458Kr. 44,58
1000 +Kr. 4,301Kr. 43,01

*Vejledende pris

RS-varenummer:
349-430
Producentens varenummer:
IPD040N03LF2SATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

73A

Drain source spænding maks. Vds

30V

Emballagetype

PG-TO252-3

Serie

OptiMOS

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

4.05mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

75W

Portkildespænding maks.

20 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

21nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

RoHS, IEC61249-2-21, DIN IEC 68-1: 55/175/56

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN
Infineons StrongIRFET 2 power MOSFET 30 V-teknologi har klassens bedste RDS(on) på 4 mOhm i en DPAK-pakke. Dette produkt henvender sig til en bred vifte af applikationer fra lav til høj skiftefrekvens.

Produkter til generelle formål

Fremragende robusthed

Bred tilgængelighed hos distributører

Standardpakker og pin-out

Høje produktions- og leveringsstandarder

Relaterede links

Recently viewed