Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 45 A 80 V N, 3 Ben, TO-252, OptiMOS-TM3

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 rulle af 2500 enheder)*

Kr. 6.360,00

(ekskl. moms)

Kr. 7.950,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 15.000 enhed(er) afsendes fra 16. marts 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
2500 - 2500Kr. 2,544Kr. 6.360,00
5000 +Kr. 2,417Kr. 6.042,50

*Vejledende pris

RS-varenummer:
218-3039
Producentens varenummer:
IPD135N08N3GATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

45A

Drain source spænding maks. Vds

80V

Emballagetype

TO-252

Serie

OptiMOS-TM3

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

13.5mΩ

Kanalform

N

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

79W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

19nC

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Driftstemperatur maks.

175°C

Bredde

6.22 mm

Standarder/godkendelser

No

Højde

2.41mm

Længde

6.73mm

Bilindustristandarder

Nej

Infineon OptiMOS™-seriens N-kanal MOSFET. OptiMOS™ er markedsførende inden for meget effektive løsninger til strømproduktion (f.eks. solmikroinverter), strømforsyning (f.eks. server og telekommunikation) og strømforbrug (f.eks. elektrisk køretøj).

N-kanal, normalt niveau

100 % avalanche-testet

Blyfri belægning

Relaterede links