Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 45 A 80 V N, 3 Ben, TO-252, OptiMOS-TM3
- RS-varenummer:
- 218-3041
- Producentens varenummer:
- IPD135N08N3GATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 20 enheder)*
Kr. 144,14
(ekskl. moms)
Kr. 180,18
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 8.180 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
- Plus 2.500 enhed(er) afsendes fra 30. juli 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | Kr. 7,207 | Kr. 144,14 |
| 100 - 180 | Kr. 6,848 | Kr. 136,96 |
| 200 - 480 | Kr. 6,556 | Kr. 131,12 |
| 500 - 980 | Kr. 6,268 | Kr. 125,36 |
| 1000 + | Kr. 5,838 | Kr. 116,76 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 218-3041
- Producentens varenummer:
- IPD135N08N3GATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 45A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 80V | |
| Serie | OptiMOS-TM3 | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 13.5mΩ | |
| Kanalform | N | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 79W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 19nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 2.41mm | |
| Længde | 6.73mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 45A | ||
Drain source spænding maks. Vds 80V | ||
Serie OptiMOS-TM3 | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 13.5mΩ | ||
Kanalform N | ||
Effektafsættelse maks. Pd 79W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 19nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 2.41mm | ||
Længde 6.73mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon OptiMOS™-seriens N-kanal MOSFET. OptiMOS™ er markedsførende inden for meget effektive løsninger til strømproduktion (f.eks. solmikroinverter), strømforsyning (f.eks. server og telekommunikation) og strømforbrug (f.eks. elektrisk køretøj).
N-kanal, normalt niveau
100 % avalanche-testet
Blyfri belægning
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 45 A 80 V N TO-252, OptiMOS-TM3
- Infineon Type N-Kanal 80 A 100 V N PG-TO-220, OptiMOS-TM3
- Infineon Type N-Kanal 18 A 100 V N PG-TDSON-8, OptiMOS-TM3
- Infineon Type N-Kanal 114 A 40 V Forbedring TSDSON, OptiMOS-TM3
- Infineon Type N-Kanal 63 A 60 V Forbedring TSDSON, OptiMOS-TM3
- Infineon Type N-Kanal 40 A 100 V Forbedring TSDSON, OptiMOS-TM3
- Infineon Type N-Kanal 45 A 60 V Forbedring TO-252, OptiMOS 5
- Infineon Type N-Kanal 73 A 80 V N TO-252, OptiMOS 3