Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 45 A 80 V N, 3 Ben, TO-252, OptiMOS-TM3 Nej IPD135N08N3GATMA1
- RS-varenummer:
- 218-3041
- Producentens varenummer:
- IPD135N08N3GATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 20 enheder)*
Kr. 91,28
(ekskl. moms)
Kr. 114,10
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 22.700 enhed(er) afsendes fra 31. december 2025
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | Kr. 4,564 | Kr. 91,28 |
| 100 - 180 | Kr. 4,336 | Kr. 86,72 |
| 200 - 480 | Kr. 4,153 | Kr. 83,06 |
| 500 - 980 | Kr. 3,971 | Kr. 79,42 |
| 1000 + | Kr. 3,698 | Kr. 73,96 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 218-3041
- Producentens varenummer:
- IPD135N08N3GATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 45A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 80V | |
| Serie | OptiMOS-TM3 | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 13.5mΩ | |
| Kanalform | N | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 19nC | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 79W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 6.73mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 6.22 mm | |
| Højde | 2.41mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 45A | ||
Drain source spænding maks. Vds 80V | ||
Serie OptiMOS-TM3 | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 13.5mΩ | ||
Kanalform N | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 19nC | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 79W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 6.73mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 6.22 mm | ||
Højde 2.41mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon OptiMOS™-seriens N-kanal MOSFET. OptiMOS™ er markedsførende inden for meget effektive løsninger til strømproduktion (f.eks. solmikroinverter), strømforsyning (f.eks. server og telekommunikation) og strømforbrug (f.eks. elektrisk køretøj).
N-kanal, normalt niveau
100 % avalanche-testet
Blyfri belægning
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 45 A 80 V DPAK (TO-252), OptiMOS™ 3 IPD135N08N3GATMA1
- Infineon N-Kanal 45 A 60 V DPAK (TO-252), OptiMOS™ 5 IPD053N06NATMA1
- Infineon N-Kanal 73 A 80 V DPAK (TO-252), OptiMOS™ 3 IPD096N08N3GATMA1
- Infineon N-Kanal 90 A 80 V DPAK (TO-252), OptiMOS™ 3 IPD053N08N3GATMA1
- Infineon N-Kanal 50 A 80 V DPAK (TO-252), OptiMOS™ -T2 IPD50N08S413ATMA1
- Infineon N-Kanal 25 A 250 V DPAK (TO-252), OptiMOS™ 3 IPD600N25N3GATMA1
- Infineon N-Kanal 21 A 150 V DPAK (TO-252), OptiMOS™ 3 IPD530N15N3GATMA1
- Infineon N-Kanal 90 A 40 V DPAK (TO-252), OptiMOS™ 3 IPD036N04LGBTMA1
