Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 18 A 100 V N, 8 Ben, PG-TDSON-8, OptiMOS-TM3 Nej BSZ440N10NS3GATMA1
- RS-varenummer:
- 258-7030
- Producentens varenummer:
- BSZ440N10NS3GATMA1
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 rulle af 5000 enheder)*
Kr. 7.490,00
(ekskl. moms)
Kr. 9.360,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 5.000 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 5000 + | Kr. 1,498 | Kr. 7.490,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 258-7030
- Producentens varenummer:
- BSZ440N10NS3GATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 18A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Serie | OptiMOS-TM3 | |
| Emballagetype | PG-TDSON-8 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 44mΩ | |
| Kanalform | N | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 6.8nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 29W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 18A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Serie OptiMOS-TM3 | ||
Emballagetype PG-TDSON-8 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 44mΩ | ||
Kanalform N | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 6.8nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 29W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon OptiMOS 3 effekttransistor giver fremragende løsninger til SMPS med høj effektivitet og høj effekttæthed. Sammenlignet med den næstbedste teknologi opnår dette produkt en reduktion på 30 procent i både Rds on og FOM.
Fremragende skiftepræstationer
Verdens laveste RDS på
RoHS-overensstemmende halogenfri
MSL1 bedømmelse 2
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 100 A 40 V, PG-TDSON IAUC100N04S6N015ATMA1
- Infineon N-Kanal 100 A 40 V, PG-TDSON IAUC100N04S6N022ATMA1
- Infineon N-Kanal 100 A 80 V, PG-TDSON-8 IAUC100N08S5N031ATMA1
- Infineon N-Kanal 58 A 100 V, PG-TDSON-8 IPB123N10N3GATMA1
- Infineon N-Kanal 20 A 100 V, PG-TDSON-8-10 IPG20N10S4L22AATMA1
- Infineon N-Kanal 100 A 75 V, PG-TDSON-8-7 BSC036NE7NS3GATMA1
- Infineon N-Kanal 100 A 60 V OptiMOS™ BSC014N06NSATMA1
- Infineon N-Kanal 100 A 25 V OptiMOS™ BSC010NE2LSIATMA1
