Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 71 A 60 V, 3 Ben, IPAK, HEXFET
- RS-varenummer:
- 218-3125
- Producentens varenummer:
- IRFU7546PBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 rør af 75 enheder)*
Kr. 236,475
(ekskl. moms)
Kr. 295,575
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 19. april 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 75 - 150 | Kr. 3,153 | Kr. 236,48 |
| 225 - 300 | Kr. 3,029 | Kr. 227,18 |
| 375 + | Kr. 2,95 | Kr. 221,25 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 218-3125
- Producentens varenummer:
- IRFU7546PBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 71A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Serie | HEXFET | |
| Emballagetype | IPAK | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 7.9mΩ | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 87nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 99W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 6.73mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 6.22mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 71A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Serie HEXFET | ||
Emballagetype IPAK | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 7.9mΩ | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 87nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 99W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 6.73mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 6.22mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon HEXFET-seriens N-kanal Power MOSFET. Den bruges til anvendelser, hvor omskiftning er under <100 kHz.
Blyfri, i overensstemmelse med RoHS
Forbedret husdiode DV/dt og di/dt
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 71 A 60 V IPAK, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 71 A 60 V Forbedring TO-252, HEXFET
- Infineon N-Kanal 93 A 20 V IPAK, HEXFET IRFU3711ZPBF
- Infineon Type N-Kanal 33 A 150 V Forbedring IPAK, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 17 A 55 V Forbedring IPAK, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 160 A 30 V Forbedring IPAK, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 9.4 A 100 V Forbedring IPAK, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 80 A 75 V Forbedring IPAK, HEXFET