Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 71 A 60 V, 3 Ben, IPAK, HEXFET
- RS-varenummer:
- 218-3126
- Producentens varenummer:
- IRFU7546PBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 20 enheder)*
Kr. 129,18
(ekskl. moms)
Kr. 161,48
(inkl. moms)
Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig - Vend tilbage senere
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 20 - 20 | Kr. 6,459 | Kr. 129,18 |
| 40 - 80 | Kr. 5,924 | Kr. 118,48 |
| 100 - 220 | Kr. 5,472 | Kr. 109,44 |
| 240 - 480 | Kr. 5,072 | Kr. 101,44 |
| 500 + | Kr. 4,933 | Kr. 98,66 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 218-3126
- Producentens varenummer:
- IRFU7546PBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 71A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Serie | HEXFET | |
| Emballagetype | IPAK | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 7.9mΩ | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 87nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 99W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 6.73mm | |
| Højde | 6.22mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 71A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Serie HEXFET | ||
Emballagetype IPAK | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 7.9mΩ | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 87nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 99W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 6.73mm | ||
Højde 6.22mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon HEXFET-seriens N-kanal Power MOSFET. Den bruges til anvendelser, hvor omskiftning er under <100 kHz.
Blyfri, i overensstemmelse med RoHS
Forbedret husdiode DV/dt og di/dt
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 71 A 60 V IPAK, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 71 A 60 V Forbedring TO-252, HEXFET
- Infineon N-Kanal 93 A 20 V IPAK, HEXFET IRFU3711ZPBF
- Infineon Type N-Kanal 33 A 150 V Forbedring IPAK, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 17 A 55 V Forbedring IPAK, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 160 A 30 V Forbedring IPAK, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 9.4 A 100 V Forbedring IPAK, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 80 A 75 V Forbedring IPAK, HEXFET