Nexperia Type N-Kanal, MOSFET, 5.5 A 55 V Forbedring, 4 Ben, SOT-223, BUK98150 AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 219-4328
- Producentens varenummer:
- BUK98150-55A/CUF
- Brand:
- Nexperia
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 25 enheder)*
Kr. 77,275
(ekskl. moms)
Kr. 96,60
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 2.000 enhed(er) afsendes fra 10. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | Kr. 3,091 | Kr. 77,28 |
| 50 - 75 | Kr. 3,022 | Kr. 75,55 |
| 100 - 475 | Kr. 2,301 | Kr. 57,53 |
| 500 - 1975 | Kr. 1,792 | Kr. 44,80 |
| 2000 + | Kr. 1,442 | Kr. 36,05 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 219-4328
- Producentens varenummer:
- BUK98150-55A/CUF
- Brand:
- Nexperia
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Nexperia | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 5.5A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 55V | |
| Serie | BUK98150 | |
| Emballagetype | SOT-223 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 161mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 5.3nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 15 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 8W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 6.7mm | |
| Højde | 0.3mm | |
| Bredde | 3.7 mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Nexperia | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 5.5A | ||
Drain source spænding maks. Vds 55V | ||
Serie BUK98150 | ||
Emballagetype SOT-223 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 161mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 5.3nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 15 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 8W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 6.7mm | ||
Højde 0.3mm | ||
Bredde 3.7 mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Nexperia BUK98150-55A/CUF Logic Level N-kanal-effekttransistor med felteffekt (FET) i et plastkabinet, der anvender TrenchMOS-teknologi
Lavt ledningstab på grund af lav on-state-modstand
Q101-kompatibel
Relaterede links
- Nexperia Type N-Kanal 5.5 A 55 V Forbedring SOT-223, BUK98150 AEC-Q101
- Nexperia Type N-Kanal 5.5 A 30 V Forbedring SOT-23 AEC-Q101
- Nexperia Type N-Kanal 5.5 A 30 V Forbedring SOT-23 AEC-Q101 PMV25ENEAR
- Nexperia Type N-Kanal 184 A 55 V Forbedring LFPAK, BUK9Y19 AEC-Q101
- Nexperia N-Kanal 122 A 55 V D2PAK (TO-263)118
- Nexperia N-Kanal 191 A 55 V D2PAK (TO-263)118
- Nexperia Type N-Kanal 184 A 55 V Forbedring LFPAK115
- Infineon 5 A 55 V HEXFET Nej
