Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 8 A 800 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, CoolMOS P7
- RS-varenummer:
- 219-5993
- Producentens varenummer:
- IPD80R600P7ATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 89,31
(ekskl. moms)
Kr. 111,64
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 2.420 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | Kr. 8,931 | Kr. 89,31 |
| 50 - 90 | Kr. 8,482 | Kr. 84,82 |
| 100 - 240 | Kr. 8,123 | Kr. 81,23 |
| 250 - 490 | Kr. 7,772 | Kr. 77,72 |
| 500 + | Kr. 7,233 | Kr. 72,33 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 219-5993
- Producentens varenummer:
- IPD80R600P7ATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 8A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 800V | |
| Serie | CoolMOS P7 | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 600mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 60W | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 20nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.9V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 6.73mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 2.41mm | |
| Bredde | 6.22 mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 8A | ||
Drain source spænding maks. Vds 800V | ||
Serie CoolMOS P7 | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 600mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 60W | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 20nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.9V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 6.73mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 2.41mm | ||
Bredde 6.22 mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon 800V CoolMOS P7 superjunction MOSFET serien er perfekt egnet til SMPS-applikationer med lavt strømforbrug ved fuldt ud at opfylde markedets behov inden for ydeevne, brugervenlighed og pris/ydelsesforhold. Den fokuserer hovedsageligt på flyback-anvendelser, herunder adapter og oplader, LED-driver, audio SMPS, AUX og industriel strøm. Denne nye produktserie tilbyder op til 0.6 % effektivitetsforøgelse og 2 C til 8 C lavere MOSFET-temperatur sammenlignet med forgængeren samt konkurrerende dele testet i typiske flyback-anvendelser. Det giver også mulighed for højere effekttæthed gennem lavere koblingstab og bedre DPAK R DS (on) produkter. Alt i alt hjælper det kunderne med at spare BOM-omkostninger og reducere montagearbejdet.
Nem at køre og at designe
Bedre produktionsudbytte ved at reducere ESD-relaterede fejl
Færre produktionsproblemer og færre returneringer i marken
Nemt at vælge de rigtige dele til finjustering af design
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 8 A 800 V Forbedring TO-252, CoolMOS P7
- Infineon Type N-Kanal 4 A 800 V Forbedring TO-252, CoolMOS P7
- Infineon Type N-Kanal 7 A 800 V Forbedring TO-252, CoolMOS P7
- Infineon Type N-Kanal 1.9 A 800 V Forbedring TO-252, CoolMOS P7
- Infineon Type N-Kanal 2.5 A 800 V Forbedring TO-252, 800V CoolMOS P7
- Infineon Type N-Kanal 3 A 800 V Forbedring TO-252, 800V CoolMOS P7
- Infineon Type N-Kanal 6 A 800 V Forbedring TO-252, 800V CoolMOS P7
- Infineon Type N-Kanal 4 A 950 V Forbedring TO-252, CoolMOS P7