Infineon Type N-Kanal, MOSFET og Diode, 97 A 650 V Forbedring, 5 Ben, VSON, CoolMOS Nej
- RS-varenummer:
- 220-7430
- Producentens varenummer:
- IPL60R095CFD7AUMA1
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*
Kr. 44.655,00
(ekskl. moms)
Kr. 55.818,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 3.000 enhed(er) afsendes fra 14. maj 2026
- Plus 3.000 enhed(er) afsendes fra 21. maj 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | Kr. 14,885 | Kr. 44.655,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 220-7430
- Producentens varenummer:
- IPL60R095CFD7AUMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET og Diode | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 97A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Serie | CoolMOS | |
| Emballagetype | VSON | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 5 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 65mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 147W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 51nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 1.1mm | |
| Længde | 8.1mm | |
| Bredde | 8.1 mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET og Diode | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 97A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Serie CoolMOS | ||
Emballagetype VSON | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 5 | ||
Drain source modstand maks. Rds 65mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 147W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 51nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 1.1mm | ||
Længde 8.1mm | ||
Bredde 8.1 mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon 600V Cool MOS CFD7 er Infineons nyeste højspændings super-junction MOSFET-teknologi med integreret hurtig booddiode, der fuldender Cool MOS 7 serien. COOL MOS CFD7 leveres med reduceret gate Charge (QG), forbedret deoff-adfærd og en reverse recovery-afgift (Qrr) på op til 69 % lavere end konkurrenterne samt den laveste reverse recovery-tid (trr) på markedet.
Ultra-hurtig husdiode
Klassens bedste omvendte genoprettelsesopladning (Qrr)
Forbedret omvendt diode dv/dt og robusthed ved dif/dt
Laveste FOM RDS(on) x QG og Eoss
Klassens bedste RDS(on)/pakkekombinationer
Klassens bedste hårde sammenkommutationsrobusthed
Højeste pålidelighed for resonante topologier
Højeste effektivitet med enestående brugervenlighed/ydeevne-afhandel
Muliggør løsninger med øget effekttæthed
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 97 A 650 V ThinkPAK 8 x 8, CoolMOS™ IPL60R095CFD7AUMA1
- Infineon N-Kanal 100 A 650 V ThinkPAK 8 x 8, CoolMOS™ P7 IPL60R105P7AUMA1
- Infineon N-Kanal 151 A 650 V ThinkPAK 8 x 8, CoolMOS™ P7 IPL60R065P7AUMA1
- Infineon N-Kanal 13 A 650 V ThinkPAK 8 x 8, CoolMOS™ IPL60R185C7AUMA1
- Infineon N-Kanal 15 A 650 V ThinkPAK 8 x 8, CoolMOS™ C7 IPL65R130C7AUMA1
- Infineon N-Kanal 97 A 650 V TO-247, CoolMOS™ IPW60R090CFD7XKSA1
- Infineon N-Kanal 16 A 600 V ThinkPAK 8 x 8, CoolMOS™ CFD7 IPL60R160CFD7AUMA1
- Infineon N-Kanal 19 5 ben CoolMOS™ P6 IPL60R210P6AUMA1