onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 30 A 650 V Forbedring, 4 Ben, PQFN, NTMT110N Nej
- RS-varenummer:
- 221-6735
- Producentens varenummer:
- NTMT110N65S3HF
- Brand:
- onsemi
Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*
Kr. 84.594,00
(ekskl. moms)
Kr. 105.744,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 3.000 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | Kr. 28,198 | Kr. 84.594,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 221-6735
- Producentens varenummer:
- NTMT110N65S3HF
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 30A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Serie | NTMT110N | |
| Emballagetype | PQFN | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 110mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 240W | |
| Portkildespænding maks. | 30 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 62nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 8.1mm | |
| Højde | 8.1mm | |
| Bredde | 1.1 mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 30A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Serie NTMT110N | ||
Emballagetype PQFN | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 110mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 240W | ||
Portkildespænding maks. 30 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 62nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 8.1mm | ||
Højde 8.1mm | ||
Bredde 1.1 mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
on Semiconductor SUPERFET III MOSFET har højspændings super-junction (SJ) MOSFET-serien, der anvender opladningsbalanceteknologi for fremragende lav modstand og lavere gate-ladeniveau. Denne Advanced-teknologi er skræddersyet til at minimere tab af ledning, giver overlegen skifteevne og kan modstå ekstreme dv/dt-hastigheder.
Ultralav gate-opladning
Lav effektiv udgangskapacitet 522 pF
100 % avalanche-testet
Relaterede links
- onsemi Type N-Kanal 30 A 650 V Forbedring PQFN, NTMT110N Nej NTMT110N65S3HF
- onsemi Type N-Kanal 10 A 650 V Forbedring PQFN, FCMT Nej
- onsemi Type N-Kanal 20 A 650 V Forbedring PQFN, NTMT190N Nej
- onsemi Type N-Kanal 24 A 650 V Forbedring PQFN, NTMT150N Nej
- onsemi Type N-Kanal 36 A 650 V Forbedring PQFN, NTMT090N Nej
- onsemi Type N-Kanal 24 A 650 V Forbedring PQFN, FCMT Nej
- onsemi Type N-Kanal 24 A 650 V Forbedring PQFN, FCMT Nej FCMT125N65S3
- onsemi Type N-Kanal 20 A 650 V Forbedring PQFN, NTMT190N Nej NTMT190N65S3HF
