Infineon N-Kanal, MOSFET, 30 A 55 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 222-4663
- Producentens varenummer:
- IPD30N06S215ATMA2
- Brand:
- Infineon
Indhold (2500 enheder, på en rulle med 2500)*
Kr. 8.132,50
(ekskl. moms)
Kr. 10.165,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 17. december 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 2500 + | Kr. 3,253 | Kr. 8.132,50 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 222-4663
- Producentens varenummer:
- IPD30N06S215ATMA2
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 30A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 55V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 14.7mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 136W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 41nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 2.3mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 6.22mm | |
| Længde | 6.5mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 30A | ||
Drain source spænding maks. Vds 55V | ||
Serie OptiMOS | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 14.7mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 136W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 41nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 2.3mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 6.22mm | ||
Længde 6.5mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon-designet af MOSFET'er, også kendt som MOSFET-transistorer, står for 'metal Oxide Semiconductor Field-Effect transistorer'. MOSFET'er er transistorenheder, der styres af en kondensator. "Felteffekt" betyder, at de styres af spænding. Formålet med en MOSFET er at styre strømmen, der passerer gennem kilden til drænterminalerne.
Grønt produkt (RoHS kompatibel)
MSL1 op til 260 °C peak reflow AEC Q101
OptiMOS™-Power MOSFET til brug i biler
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 30 A 55 V Forbedring TO-252, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 19 A 55 V Forbedring TO-252, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 50 A 55 V Forbedring TO-252, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 17 A 55 V Forbedring TO-252, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 60 A 100 V Forbedring TO-252, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 30 A 75 V Forbedring TO-252, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 50 A 60 V Forbedring TO-252, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 30 A 60 V Forbedring TO-252, OptiMOS AEC-Q101