Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 30 A 55 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS AEC-Q101

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 2500 enheder)*

Kr. 8.132,50

(ekskl. moms)

Kr. 10.165,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 01. april 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
2500 +Kr. 3,253Kr. 8.132,50

*Vejledende pris

RS-varenummer:
222-4663
Producentens varenummer:
IPD30N06S215ATMA2
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

30A

Drain source spænding maks. Vds

55V

Serie

OptiMOS

Emballagetype

TO-252

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

14.7mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

41nC

Effektafsættelse maks. Pd

136W

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20 V

Gennemgangsspænding Vf

1.3V

Driftstemperatur maks.

175°C

Højde

2.3mm

Længde

6.5mm

Bredde

6.22 mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Infineon-designet af MOSFET'er, også kendt som MOSFET-transistorer, står for 'metal Oxide Semiconductor Field-Effect transistorer'. MOSFET'er er transistorenheder, der styres af en kondensator. "Felteffekt" betyder, at de styres af spænding. Formålet med en MOSFET er at styre strømmen, der passerer gennem kilden til drænterminalerne.

Grønt produkt (RoHS kompatibel)

MSL1 op til 260 °C peak reflow AEC Q101

OptiMOS™-Power MOSFET til brug i biler

Relaterede links