Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 6 A 700 V Forbedring, 3 Ben, TO-251, CoolMOS Nej

Se alle MOSFET

Indhold (1 rør af 75 enheder)*

Kr. 130,425

(ekskl. moms)

Kr. 163,05

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 4.425 enhed(er) afsendes fra 02. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rør*
75 +Kr. 1,739Kr. 130,43

*Vejledende pris

RS-varenummer:
222-4714
Producentens varenummer:
IPSA70R900P7SAKMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

6A

Drain source spænding maks. Vds

700V

Serie

CoolMOS

Emballagetype

TO-251

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

900mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

30.5W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

6.8nC

Min. driftstemperatur

-40°C

Portkildespænding maks.

16 V

Gennemgangsspænding Vf

0.9V

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Længde

6.6mm

Højde

6.1mm

Bredde

2.38 mm

Bilindustristandarder

Nej

Infineon designet af Cool MOS™ er en revolutionerende teknologi til højspændings MOSFET'er, designet i henhold til superjunction-princippet (SJ) og udviklet af Infineon Technologies. Den nyeste Cool MOS™ P7 er en optimeret platform, der er skræddersyet til at målrette omkostningsfølsomme anvendelser på forbrugermarkeder som f.eks. oplader, adapter, belysning, TV osv.

Produktvalidering i henhold JEDEC-standard

Lavt skiftetab (Eoss)

Integreret ESD-beskyttelsesdiode

Fremragende termisk ydelse

Relaterede links